Mikropiireissä yritetään jatkuvasti ahtaa lisää transistoreja yhä pienempään tilaan. Tämä onnistuu joko valmistusprosessia kutistamalla tai pinoamalla piirejä päällekkäin. Samsungin uusin pakkaustekniikka mahdollistaa 12 DRAM-piirin integroimisen päällekkäin samaan siruun.
Innovatiivista uudessa TSV-rakenteessa on se, että sen avulla valmistettu 12-kerroksinen DRAM-moduuli on yhtä ohut kuin lankaliitäntöihin (wire bond) perustuva 8-kerroksinen rakenne. 12 DRAM-piiriä vie pystysuunnassa tilaa 720 mikrometriä.
TSV- eli through silicon via -tekniikassa päällekkäin pinotut piirit liitetään toisiinsa sirujen läpivienneillä. Samsungin uudessa kotelossa näitä läpivientejä on yli 60 000.
Lankabondaukseen verrattuna TSV-rakenne tuo kasvaneen tiheyden lisäksi muitakin etuja. Data kulkee piirien välillä nopeammin, DRAM-komponentissa käytännössä prosessori voi lukea ja kirjoittaa dataa nopeammin. TSV-rakenne myös pienentää bittienluvun tehonkulutusta.
Uuden kotelotekniikan ansiosta Samsung kertoo pystyvänsä pian valmistamaan 24 gigatavun HBM-muistimoduuleita. Kapasiteetti kasvaa tämän hetken HBM-muisteista kolminkertaiseksi, kun samaan koteloon pinotaan 16 gigabitin DRAM-piirejä 12 kerrokseen.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
