Mikropiireissä yritetään jatkuvasti ahtaa lisää transistoreja yhä pienempään tilaan. Tämä onnistuu joko valmistusprosessia kutistamalla tai pinoamalla piirejä päällekkäin. Samsungin uusin pakkaustekniikka mahdollistaa 12 DRAM-piirin integroimisen päällekkäin samaan siruun.
Innovatiivista uudessa TSV-rakenteessa on se, että sen avulla valmistettu 12-kerroksinen DRAM-moduuli on yhtä ohut kuin lankaliitäntöihin (wire bond) perustuva 8-kerroksinen rakenne. 12 DRAM-piiriä vie pystysuunnassa tilaa 720 mikrometriä.
TSV- eli through silicon via -tekniikassa päällekkäin pinotut piirit liitetään toisiinsa sirujen läpivienneillä. Samsungin uudessa kotelossa näitä läpivientejä on yli 60 000.
Lankabondaukseen verrattuna TSV-rakenne tuo kasvaneen tiheyden lisäksi muitakin etuja. Data kulkee piirien välillä nopeammin, DRAM-komponentissa käytännössä prosessori voi lukea ja kirjoittaa dataa nopeammin. TSV-rakenne myös pienentää bittienluvun tehonkulutusta.
Uuden kotelotekniikan ansiosta Samsung kertoo pystyvänsä pian valmistamaan 24 gigatavun HBM-muistimoduuleita. Kapasiteetti kasvaa tämän hetken HBM-muisteista kolminkertaiseksi, kun samaan koteloon pinotaan 16 gigabitin DRAM-piirejä 12 kerrokseen.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.