Samsung kertoo ensimmäisenä markkinoilla aloittaneensa massatuotannon älypuhelimien 16 gigatavun LPDDR5-muisteissa. Käytännössä tämä tarkoittaa, että seuraavan polven premium-laitteissa keskusmuistin koko kasvaa nykyisestä 12 gigatavusta jo 16 gigatavuun.
Samsungin piireissä data siirtyy 5500 megabitin sekuntivauhdilla eli noin 1,3 kertaa nopeammin kuin edellisen polven LPDDR4X-muisteissa. 8 gigatavun LPDDR4X-piireihin verrattuna uutuus tarkoittaa kaksinkertaisesta kapasiteetista huolimatta yli viidenneksen pienempää energiankulutusta.
16 gigatavun muisti koostuu kahdeksasta 12 gigabitin sirusta ja neljästä 8 gigabitin sirusta. DRAM-kapasiteetti on näin jopa kaksinkertainen moniin huippuluokan kannettaviin tietokoneisiin verrattuna.
Samsung valmistaa LPDDR5-muistinsa Pyeongtaekin tehtaallaan. Valmistusprosessi on kolmannen polven 10 nanometrin prosessi (1z). Samsung ei ole pitkään aikaan kertonut täsmällisiä viivanleveyksiä DRAM-prosessissaan.