Tällä hetkellä älypuhelin on sovellus, jossa piirien valmistus hakee lisätehoa uusimmista valmistusprosesseista nopeimmin. Pian tarjolle saadaan ensimmäiset viiden nanometrin sirut. Hieman yllättävää on se, että ensi vuonna saadaan jo ensimmäiset viiden nanometrin piirit autoelektroniikkaankin.
NXP on sopinut yhteistyöstä viiden nanometrin piirien osalta TSMC:n kanssa. NXP:n mukaan sen tuleva SoC-alusta tuo esimerkiksi ADAS-järjestelmiin lisää tehoa ilman virrankulutuksen kasvua.
TSMC on aiemmin valmistanut NXP:n autoelektroniikan järjestelmäpiirejä 16 nanometrin prosessissa. Siirtyminen suoraan 5 nanometrin merkitsee piirien suorituskyvyn kannalta isoa hyppäystä eteenpäin.
TSMC:n 5 nanometrin tekniikka on tällä hetkellä maailman edistynein volyymituotantoon ehtinyt puolijohdeprosessi. 7 nanometrin prosessiin verrattuna ne tuo 20 prosenttia lisää nopeutta transistoreihin tai kutistaa vastaavan piirin tehonkulutuksen 40 prosenttia pienemmäksi.
NXP ja TSMC odottavat ensimmäisten 5 nanometrin piirien toimittamisen NXP:n avainasiakkaille vuoden 2021 aikana.






















