Flash-tekniikkaa kehitetään nyt pinoamalla soluja yhä korkeammiksi ”kerrostaloiksi”. Western Digital ja Kioxia esittelivät piiritekniikan ISSCC-konferenssissa jo kuudennen polven BiCS-tekniikkaa. Siinä sirut on toteutettu jo 162 metallointikerroksessa.
Yritysten mukaan kyse on niiden 20-vuotisen yhteistyön tähän mennessä edistynein 3D-muistitekniikka, jolla voidaan toteuttaa myös kaikkein tiheimmät piirit. Kioxia on vuonna 2018 Toshibasta irrotettu flash-muisteihin erikoitunut yritys.
Western Digitalin teknologiajohtaja Siva Sivaramin mukaan flash-muistit ovat se puolijohdeteollisuuden sektori, joka edelleen kehittyy, kun Mooren laki saavuttaa fyysiset rajansa. - Tämän uuden BiCS-sukupolven avulla olemme tuoneet arkkitehtuuriin innovaatioita sekä pysty- että sivusuunnassa, jotta saavuttaisimme suuremman kapasiteetin pienemmissä piireissä harvemmilla metallointikerroksilla.
BiCS6-arkkitehtuurissa saadaan vaakasuoraan 10 prosenttia enemmän muistisoluja. Kun kerrosten määrä nostetaan 162:een, päästään samaan bittitiheyteen 40 prosenttia pienemmässä koossa kuin yritysten edeltävässä BiSC5-arkkitehtuurissa.
BiCS6-muisteissa myös kirjoitusnopeus on kasvanut 2,4-kertaiseksi. Latenssi on saatu puristettua 10 prosenttia lyhyemmäksi.