Micron on julkistanut markkinoiden ensimmäisen 16 nanometrin prosessissa valmistetun nand-tyyppisen flash-muistin. Sen avulla voidaan pakata maailman tihein 128 gigabitin flash-muistipiiri. Piiriä tullaan käyttämään usb-muisteissa ja esimerkiksi älypuhelimista tutuilla flash-korteilla.
Aina kun sirujen viivanleveydessä mennään uusiin lukemiin, voidaan transistoreja pakata yhä tiukempaan. Micronin uusi flash-prosessi tarkoittaa, että yhdeltä kiekolta saadaan valmistettua muistipiirejä kuuden teratavun tallennuskapasiteettia varten.
Micron valmistaa jo nyt näytepiirejä uusista 16 nanometrin piireistä avainasiakkailleen. Täyteen volyymituotantoon yhtiö arvioi pääsevänsä jo vuoden viimeisen neljänneksen aikana.
Yhtiö suunnittelee myös täysin uutta ssd-kiintolevyjen tuoteperhettä, joka perustuu uuteen muistipiiriin. Sen yhtiö aikoo tuoda markkinoille ensi vuoden aikana.
Nand-tekniikkaan perustuvia flash-muisteja myytiin viime vuonna 20,2 miljardilla dollarilla eli noin 15,4 miljardilla eurolla. Samsung oli vuoden lopulla markkinajohtaja 37 prosentin osuudellaan. Micron oli Toshiban jälkeen kolmanneksi suurin valmistaja 14 prosentin siivullaan.