
Pii on ollut modernin elektroniikan peruskivi jo yli puoli vuosisataa, mutta sen rajat alkavat tulla vastaan. Nyt Tokion yliopiston tutkijat ovat esitelleet transistorin, joka voi mullistaa alan ja mahdollisesti korvata piin tulevaisuuden siruissa.
Tutkimusryhmä kehitti uudenlaisen transistorin käyttämällä galliumilla seostettua indiumoksidia (InGaOx), joka tarjoaa parempaa elektronien liikkuvuutta ja vakautta kuin pii. Lisäksi laite hyödyntää GAA_-eli gate-all-around -arkkitehtuuria, jossa transistorin kanavaa ohjaava portti ympäröi johtokanavan kaikilta puolilta. Tämä rakenne mahdollistaa tarkemman hallinnan, pienemmän energiankulutuksen ja paremman skaalautuvuuden verrattuna perinteisiin ratkaisuihin.
Valmistuksessa käytettiin atomikerroskasvatusta, jolla puolijohdemateriaali rakennettiin kerros kerrokselta. Lopputuloksena syntyneellä transistorilla mitattiin poikkeuksellisen korkea elektronien liikkuvuus (44,5 cm²/Vs) sekä lupaava toimintavakaus useiden tuntien ajan stressitesteissä.
Asiantuntijoiden mukaan kyseessä voi olla merkittävä askel kohti uusia prosessointiteknologioita, erityisesti vaativissa sovelluksissa kuten tekoälylaskennassa, big datassa ja korkean suorituskyvyn tietojenkäsittelyssä.
Vaikka tie teolliseen mittakaavaan on vielä pitkä, löydös antaa viitteitä siitä, että piin aikakausi saattaa olla väistymässä – ja tilalle voi nousta uusi, oksidipohjainen transistoriteknologia.






















