Kioxia ja Sandisk ovat esitelleet uuden sukupolven QLC-tyyppisen 3D NAND -flashmuistin, jonka bittitiheys ylittää 37 gigabittiä neliömillillä. Yhtiöiden mukaan kyseessä on tällä hetkellä maailman tihein QLC NAND -tekniikka.
Uutuus edustaa Kioxian ja Sandiskin 10. sukupolven 3D-flashia. Sen bittitiheys on jopa 60 prosenttia suurempi kuin yhtiöiden kahdeksannen sukupolven tekniikassa. Muistirakenne koostuu 332 kerroksesta.
Tiheyden kasvattamisessa keskeinen tekniikka on CBA eli CMOS directly Bonded to Array. Siinä muistisolumatriisi ja sitä ohjaava CMOS-logiikka valmistetaan erillisillä piikiekoilla optimoiduissa prosesseissa. Kiekot kohdistetaan tarkasti ja liitetään tämän jälkeen toisiinsa.
Uusi sukupolvi kasvattaa samalla muistien tiedonsiirtonopeutta. Kioxian ja Sandiskin mukaan kyseessä on ensimmäinen QLC 3D NAND, jonka rajapinta yltää 4,8 gigabittiin sekunnissa. Rajapinta perustuu Toggle DDR 6.0 -tekniikkaan ja Separate Command Address eli SCA-protokollaan.
Yhtiöt kertovat parantaneensa myös I/O-liikenteen energiatehokkuutta uudella PILTT-tekniikalla (Power Isolated Low Tapped Termination). Pienempi tiedonsiirron tehonkulutus on erityisen tärkeää suurissa tallennusjärjestelmissä, joissa sähkönkulutus ja jäähdytys ovat nousseet keskeisiksi ongelmiksi.
Kioxia ja Sandisk tähtäävät uudella muistilla erityisesti tekoälyjärjestelmien, pilvipalveluiden ja hyperskaalan datakeskusten suuriin tallennusjärjestelmiin. QLC tallentaa neljä bittiä yhteen muistisoluun, joten korkea bittitiheys mahdollistaa erittäin suuren kapasiteetin suhteellisen pienellä piipinta-alalla.
Väite alan korkeimmasta bittitiheydestä perustuu Kioxian ja Sandiskin omaan, 4. elokuuta 2026 päivättyyn vertailuun.
Tekoälypalvelinten kasvava tehotiheys tekee datakeskusten varmistamisesta aiempaa monimutkaisempaa. Ylimääräiset teholähteet voivat parantaa käyttövarmuutta, mutta samalla ne lisäävät lämpökuormaa ja häiritsevät ilmavirtoja. Siksi tehonsyöttö, varmennus ja jäähdytys on suunniteltava yhtenä kokonaisuutena.