Yhdysvaltain energiaministeriön alaisessa Berkeleyn tutkimuslaboratoriossa on onnistuttu valmistamaan transistoreja, jotka ovat vain pari atomikerrosta paksuja, siis käytännössä vain kaksiulotteisia. Niissä käytetään grafeenia johtavana kerroksena.
Innovaatio on esitelty tuoreessa Nature Nanotechnology -lehdessä. Transistorien valmistus tapahtui niin, että johtavaan grafeenikerrokseen estattiin kapeita kanava, jotka täytettiin puolijohtavalla TMDC-materiaalilla (transition-metal dichalcogenide).
Sekä grafeeni että TMDC eli toiselta nimeltään MoS2 ovat yksikerroksisia kiteitä eli hyvin ohuita materiaaleja.
Synteesin avulla tutkijat onnistuivat valmistamaan johtavan rakenteen, joka on muutama millimetriä paksu ja muutaman sentin pituinen. Tämä avaa mahdollisuuksia tekniikan skaalaamiseen ja laajamittaiseen kaupalliseen käyttöön.