Toshiba on julkistanut flash-piirien tekniikan, joka mahdollistaa teratavun kapasiteetin yhdessä pienessä piirikotelossa. Lisäksi piirin energiatehokkuus on merkittävästi nykyisiä sirukja parempi.
Läpimurron on mahdollistanut TSV-tekniikan tuonti BiCS-arkkitehtuurin flasheihin. TSV (Through Silicon Via) tarkoittaa tekniikkaa, jossa päällekkäin pinottujen piirien läpi on porattu viennit, joiden läpi pystysuorat elektrodit kulkevat.
Perinteiseen lankabondaukseen verrattuna tämä tarkoittaa nopeampaa bittien hakua selvästi aiempaa pienemmällä tehonkulutuksella. Toshiban mukaan perinteisiin piireihin verrattuna energiatehokkuus on kaksinkertainen.
TSV:n avulla Toshiba kykenee esimerkiksi pinomaan 8 piiriä päällekkäin, jolloin saadaan 512 gigatavun muistikapasitetti yhdessä 14x18-millisessä kotelossa. Pinoamlla siruja päällekkäin 16 kappaletta ylletään tuplakapasiteettiin eli yhteen teratavuun. Koteloiden korkeuden välillä on tällöin vain puolen millin ero.
Prosessorilla dataa saadaan liikkumaan 1066 megabitin sekuntinopeudella. Tekniikkaa tullaan hyödyntämään jatkossa esimerkiksi yritysluokan SSD-levyillä.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
