Korealaisen IBS-tutkimuskeskuksen (Institute for Basic Sciencen) tutkijat ovat kehittäneet ensimmäisen yhdestä materiaalista valmistetun 2kaksulotteisen FETIn eli kenttävaikutustransistorin. Tutkimustyö osoittaa, että uudella menetelmällä voidaan tehdä metalli ja puolijohde samasta materiaalista, jotta voidaan tuottaa kaksiulotteisia fettejä.
Vaikka perinteisiä 3D-fettejä on pienennetty nanomittakaavan ulottuvuuksiin, niin osa atomisidoksista jää vajaiksi ja ne häiritsevät elektronien kulkua kanavassa. Siirtyminen kaksiulotteisiin rakenteisiin ylittää nämä ongelmat ja tuo lisäksi vielä uusia houkuttelevia ominaisuuksia. Kaksiulotteisissa feteissä kaikki elektronit rajoittuvat luontevasti atomisiin ohutkanaviin.
Lisäksi yhden ja muutamien kerrosten kerroksellisilla 2D-materiaaleilla on laaja valikoima sähköisiä ja viritettäviä optisia ominaisuuksia, atomitason paksuus, mekaaninen joustavuus ja suuret kaistaerot (1 ~ 2 eV).
Suurin ongelma 2D FET -transistoreille on suuri kontaktiresistanssi 2D-puolijohteen ja minkä tahansa liitäntämateriaalin välisellä rajapinnalla. Tätä varten tutkijaryhmä loi tekniikan, jolla voidaan tuottaa 2D-transistorit puolijohteesta ja metallista. Ne on valmistettu samasta kemiallisesta yhdisteestä, molybdeenitelluurista (MoTe2).
Kyseessä on polymorfinen materiaali, eli sitä voidaan käyttää sekä metallina että puolijohteena. Kontaktiresistanssi puolijohteisen ja metallisen MoTe2:n rajapinnassa osoittautui erittäin pieneksi.
Prosessissaan IBS:n tutkijat käyttivät kemiallista höyrysaostusta kerrostusta (CVD) tekniikkaa. Polymorfiaa ohjataan lämpötilalla ja NaCl-höyryllä: 710 asteen lämpötila tuottaa metallia ja 670 asteen puolijohdetta.
On odotettavissa, että tulevaisuudessa olisi mahdollista saavuttaa entistä pienempi kontaktiresistanssi, saavuttaen teoreettisen kvanttirajan, jota pidetään tärkeänä aiheena 2D-materiaalien tutkimuksessa, kun mukaan luetaan myös grafeenin ja siirtymämetallien dikalkogeeni materiaalit.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 26.9.2017
Autoteollisuus on siirtymässä yhä monimutkaisempiin ohjelmistopohjaisiin järjestelmiin, joissa virheetön ohjelmisto on elintärkeää turvallisuuden ja suorituskyvyn varmistamiseksi. Ohjelmiston laatu ja luotettavuus eivät ole enää vain valinnaisia ominaisuuksia, vaan kriittisiä vaatimuksia erityisesti autonomisessa ajamisessa, kehittyneissä kuljettajaa avustavissa järjestelmissä (ADAS) ja yhdistetyissä ajoneuvojärjestelmissä.
Kestävä digitaalinen infrastruktuuri on kriittinen, jotta tietoliikenneverkot voidaan tehokkaasti valjastaa tekoälyinnovaatioiden ja pilvipohjaisten palveluiden tarpeisiin. Tekoälyyn liittyvien datarikkaiden sovellusten lisääntyvä kysyntä edellyttää tietoliikenneverkkoa, joka kykenee käsittelemään suuria tietomääriä alhaisella viiveellä, kirjoittaa Orange Businessin kumppaniratkaisuista vastaava Carl Hansson.
Euroopan unioni ottaa merkittävän askeleen avaruusteknologian kehittämisessä allekirjoittamalla sopimuksen uuden IRIS²-satelliittijärjestelmän toteuttamisesta. Tämä 290 satelliitin verkko on suunniteltu vahvistamaan Euroopan itsenäisyyttä ja turvallista yhteydenpitoa.
Jotta voidaan vastata uuden teknologian vaatimuksiin ja pitää järjestelmät toimimassa ”kellon tavoin”, on aika harkita ajoitusratkaisuja uudelleen. Tässä kaksiosaisessa "Precision Timing" -artikkelissa opit, miksi mikroelektromekaanisiin järjestelmiin eli MEMS-komponentteihin perustuvat piiajoituslaitteet päihittävät kvartsin elektroniikkasuunnittelun uudella aikakaudella. 
Matalatehoisten langattomien ratkaisujen asiantuntija Nordic Semiconductor ja eSIM-ratkaisuja kehittävä Kigen ovat julkistaneet yhteistyön, joka sujuvoittaa massiivisten IoT-verkkojen käyttöönottoa. Yhdessä he esittelevät CES 2025 -messuilla ratkaisun, joka yhdistää Nordic Semiconductorin nRF9151-moduulin ja Kigenin SGP.32 IoT eSIM-teknologian sekä laitteiden hallinta-alustan.
