Puettavia laitteita varten voidaan jo valmistaa taipuvia ledejä ja näyttöjä, mutta flash-muistit ovat edelleen piipohjaisia. Nyt korealaisen KAIST-tutkimuskeskuksen tutkijat ovat onnistuneet valmistamaan taipuisan flash-muistin, jonka ominaisuudet ovat lähellä piipohjaisia siruja.
Nature Communications -lehdessä julkaistu innovaatio perustuu kahden eri polymeerikalvon hyödyntämiseen muovisella alustalla. Flash-transistorin hilat on toteutettu taipuvan, kuusi mikronia paksun orgaanisen alustan ja polymeerin sekä kahden eri polymeerikalvon väliin.
Aiemmin kehitetyissä taipuvissa flash-muisteissa on ollut paljon ongelmia. Ne ovat vaatineet korkeita ohjelmointijännitteitä (100 volttia) ja toisaalta ne ovat kestäneet vain prosentin mekaanisia rasituksia.
KAISTin tutkijoiden kehittämä rakenne kestää 2,8 prosentin mekaanista rasitusta ja se voidaan taivuttaa 300 mikronin säteellä. Testeissä muistipiiri taivutettiin pianonkielen ympärille 10 tuhatta kertaa, mikä ei vaikuttanut muistin ominaisuuksiin.
Lisäksi kehitetty muisti voidaan ohjelmoida 10 voltin jännitteellä, mikä on linjassa nykyisten flash-muistien kanssa.
Keskeistä innovaatiossa on tietenkin orgaanisten kalvojen valmistusprosessi. Tutkijat testasivat prosessiaan äärimmillään ja onnistuivat rakentamaan orgaanisen flash-rakenteen jopa paperialustalle.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
