Galliumnitridiledejä kasvatetaan yhä pääosin safiirialustoilla. Kallis safiiri on kuitenkin korvautumassa edullisemmalla piillä. IHS-tutkimuslaitos ennustaa, että vuonna 2020 jo 40 prosettia GaN-ledeistä valmistetaan piikiekoilla.
Muutos tulee olemaan nopeaa, sillä tänä vuonna piikiekkojen osuus GaN-ledien valmistuksessa jää vain yhteen prosenttiin. Vuosikasvuksi kirjataan näin muhkeat 69 prosenttia.
Tällä hetkellä 95 prosentti GaN-ledeistä valmistetaan safiirikiekoille. Toiseksi yleisintä on piikarbidikiekkojen käyttö. Molemmat tekniita menettävät tulevina vuosina asemiaan piikiekoille.
Galliumnitridi piillä on haasteellinen valinta ledien valmistajille. Prosessilla on ollut vaikea saada tietyissä valkoisen värilämpötiloissa yhtä kirkasta valoa kuin safiirilla. Valmistajia on edelleen vain muutama, mutta toisaalta monilla perinteisillä cmos-puolijohteiden valmistajilla on erittäin hyvät valmiudet ledituotantoon.
Olemassaolevia 8-tuumaisia kiekkoja hyödyntäviä tuotantolaitoksia on IHS:n mukaan melko edullista muuntaa ledien tuotantoon.