Tieteilijät ovat tutkineet miten 2D-elektronikaasua voidaan käyttää muun muassa suprajohteissa, toimilaitteissa ja elektronisissa muistipiireissä. Japanilaisen Tohoku-yliopiston tutkijat ovat yhdessä kansainvälisten kollegoiden kanssa tunnistaneet hiljattain perovskiittityyppisen materiaaliryhmän atomirakenteen, joka osoitti mielenkiintoisia kaksiulotteisia johtavia ominaisuuksia.
Tutkitut materiaalit koostuivat strontium-, niobium- ja happiatomeista. Tutkimuslaitteidensa tulokset yhdistettynä teoreettisiin laskelmiin osoittivat, miten happiatomien lisääminen strontium-niobaatteihin vaikuttavat niiden johtavuuteen.
Happiatomien pitoisuudesta riippuen muodostui neljä eri materiaalia. Niistä kolme oli sähkönjohteita ja neljäs eriste. Atomien mittakaavassa materiaali muodostui vuorottelevista ketjun kaltaisista ja siksak-tyyppisistä sahalaitaisista tasoista.
Riippuen happiatomien pitoisuudesta ketjun kaltaiset levyt olivat materiaalin sisällä kaksi, kolme tai neljä kerrosta paksuja. Siksak-tasot olivat eristäviä kerroksia kaikissa materiaaleissa, kun taas ketjumaiset tasot olivat johtavia kolmessa neljästä materiaalista.
Kaksiulotteiset johtavat kerrokset muodostetaan tavallisesti luomalla rajapinta kahden eristeen välille. Nyt on mahdollista saavuttaa sama tavoite segmentoimalla 3D-johtavat materiaalit pinnoiksi johtavien 2D-kerrosten erottamilla eristekerroksilla, tutkijat kertovat ACS Nano -lehdessä julkaistussa tutkimuksessaan.
Ympäri maailmaa etsitään myös keinoja parantaa kaksiulotteisten materiaalien suorituskykyä tulevissa elektroniikka-, fotoniikka- ja muistipiirisovelluksissa.
Tutkijat tekevät 2D-materiaaleja kuorintamenetelmällä tai kondensoimalla kaasun esiaste substraatille, mutta menetelmä ei ole realistinen piirivalmistuksessa. Teollisissa sovelluksissa vakiintunut menetelmä tuottaa heikomman suorituskyvyn 2D-kalvoja.
Penn State Universityn johtamat tutkijat osoittivat, miksi kemiallisen höyrysaostusmenetelmän avulla kasvatettujen 2D-materiaalien laatu on heikko verrattuna niiden teoreettisiin ennusteisiin.
Osoittautui, että käytetty safiirialusta sotkee elektronejaan kalvoon ja siten rajoittaa sekä fotoluminesenssin intensiteettiä että kantajien käyttöikää, kaksi tärkeää ominaisuutta optoelektronisissa sovelluksissa.
Sittemmin toinen tutkimusryhmä kehitti tähän löytöön sopivan seostustekniikan. Käyttäen hapella käsiteltyä substraattipintaa ryhmä poisti alustan vaikutuksen ja seosti molybdeenidisulfidin 2D-kalvoa reniumatomeilla.
Tällä substraatilla seostus saattoi nousta jopa 1 atomiprosenttiin, mikä on korkein koskaan raportoitu konsentraatio. Odottamaton lisähyöty oli, että seostus passivoi rikkivakansseja, jotka ovat olleet pitkäaikainen ongelma 2D-materiaaleissa.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 8.12.2018


ETN:n digitaalinen aikakauslehti ETNdigi 1/2026 on julkaistu. Uusi numero kokoaa yhteen elektroniikka-alan keskeisiä teknologiateemoja kvanttilaskennasta ja tekoälystä energiatehokkaaseen tehoelektroniikkaan, IoT-järjestelmiin ja ajoneuvojen latausinfrastruktuuriin.
Nokian toimitusjohtaja Justin Hotard arvioi yhtiön Yhdysvaltain arvopaperimarkkinavalvoja SEC:lle toimittamassa Form 20-F 2025 -vuosiraportissa, että mobiiliverkkomarkkina ei ole lähivuosina varsinainen kasvuala. Hänen mukaansa markkinan odotetaan pysyvän lähinnä vakaana samalla kun Nokia keskittyy parantamaan liiketoiminnan kannattavuutta.

















