Manchesterin ja kiinalaisen Shandongin yliopiston tutkijoiden yhteisprojekti voi mahdollistaa taipuisat televisiot, tabletit ja älypuhelimet. tutkijat ovat kehittäneet taipuisalle materiaalille nanoluokan transistorin, jonka nopeus on ensimmäistä kertaa rikkonut gigahertsin rajan.
Gigahertsi on ollut ohutkalvotransistoreissa jonkinlainen haamuraja. Transistori on TFT-tyyppiä, joita yleensä käytetään nestekidenäytöissä. Ohutkalvorakenteisena se voi tehdä näytöistä paitsi taipuvia, myös nopeampia ja kirkkaampia kuin aiemmin.
LCD-näytössä on TFT-transistori jokaisen yksittäisen pikselin takana. Ne toimivat kytkimin, joiden avulla pikselien tila voidaan nopeasti muuttaa päälle tai pois.
Useimmat TFT-transistorit valmistetaan piistä eli ne ovat himmeitä, jäykkiä ja kalliita manchesterilaistutkijoiden kehittämiin oksiditransistoreihin verrattuna. Ja vaikka ohutkalvotransistori tekee näytön kuvasta paremman kuin LCD-ruuduilla, niiden joustavuus on tutkijoiden mukaan vieläkin vaikuttavampi ominaisuus.
Nanoelektroniikan professori Aimin Songin mukaan tekniikalla voidaan tehdä televisioista nykyistä ohuempia, taipuvia ja edullisempia valmistaa. – Lisäksi gigahertsin taajuudella toimivilla transistoreilla voidaan toteuttaa suorituskykyistä, puettavaa elektroniikkaa.
Kehitetty transistori pohjautuu IGZO-materiaaliin eli siinä on indiumia, galliumia ja sinkkiä happeen sekoittuneena.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
