Moni on ajatellut, että tehoelektroniikassa on tultu piipohjaisten ratkaisujen suorituskykyrajoja. Tokion yliopiston tutkijat ovat kuitenkin kehittivät IGBT-transistorin, joka toimii vain 5 voltin ohjausjännitteellä. Sellaisen ohjauspiirien tehonkulutus oli vain 10 prosenttia perinteisen 15 voltilla ohjattavan IGBT:n tasosta.
Tutkijat kehittämän uuden tason eristetyn portin bipolaaritransistorin eli IGBT-transistorin ohjausjännite on vain viisi volttia. IGBT:n suunnittelussa tutkijat hyödynsivät perinteisen mikroelektroniikan skaalausta. Simulaatioista kävi ilmi, että IGBT:n osa-alueen pienentäminen kolmasosaan alkuperäisestä koosta voisi alentaa toimintajännitettä 15 voltista vain 5 volttiin ja siten vähentää merkittävästi piirin tarvitsemaa ohjaustehoa.
Tutkijat pelkäsivät kuitenkin, että 5 voltin ohjausjännite saattaa olla liian alhainen odottamattoman kohinatason ylittämiseksi ja luotettavan toiminnan varmistamiseksi.
Simulointitulosten tarkistamiseksi tutkijat valmistivat 3300 voltin IGBT:n Tokion yliopiston erikoistiloissa ja arvioivat sen suorituskykyä. Kokeissa osoittautui, että piiri saavutti vakaan kytkennän 5 voltin ohjausjännitteellä. Tämä on ensimmäinen kerta, kun IGBT-kytkentä on toteutettu 5 voltilla.
IGBT, jolla on vakaa suorituskyky vain 5 voltin ohjausjännitteellä, on erittäin houkutteleva koska ohjauspiirin tehonkulutus on vain noin 10 prosenttia siitä, mitä se on tavanomaisella 15 voltin ohjauksilla.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 20.6.2019