OnePlus julkistaa uuden OnePlus 15 -älypuhelimensa globaalisti ensi viikolla 13. marraskuuta. Yhtiön mukaan laite edustaa suurinta harppausta suorituskyvyssä ja käyttökokemuksessa sen historiassa. Käyttäjiä miellyttänee pitkän käyttöajan kupaava peräti 7300 milliampeeritunnin akku.

Pickering Interfaces on julkaissut uuden, entistä tehokkaamman akkusimulaattorimoduulin BMS-testaukseen. Uudet 41-754 (PXI) ja 43-754 (PXIe) -mallit tarjoavat jopa 5 A virran ja 8 V jännitteen per kanava, ja ne sopivat yhden korttipaikan PXI-kehikkoon.

Infineon Technologies AG on laajentanut 32-bittisten moottoriohjainten MOTIX-perhettään uusilla TLE994x- ja TLE995x-sarjoilla, jotka on suunniteltu sekä harjallisille (BDC) että harjattomille (BLDC) moottoreille. Uutuudet tarjoavat tiukkaa, tarkkaa ja kustannustehokasta moottorinohjausta erityisesti pieniin ja keskisuuriin sovelluksiin – kuten pumppuihin, tuulettimiin ja säätölaitteisiin – niin auto- kuin teollisuuskäytössä.

Tehoelektroniikan komponenteista tunnettu onsemi on esitellyt maailman ensimmäisen teollisen mittakaavan pystysuuntaisen galliumnitridi-transistorin (vertical GaN, vGaN), joka merkitsee merkittävää harppausta tehoelektroniikan kehityksessä. Tämä uusi GaN-on-GaN-teknologia mahdollistaa korkeamman hyötysuhteen, suuremman tehotiheyden ja pienemmän lämmöntuoton kuin perinteiset piihin tai safiiriin perustuvat komponentit.

Qualcomm on esitellyt uuden sukupolven PC-prosessorinsa, Snapdragon X2 Elite -piirin, joka asettaa paineita koko alan jättiläiselle Intelille. Uutuus lupaa sekä huomattavasti paremman suorituskyvyn että selvästi alhaisemman virrankulutuksen – ja tekee sen ilman, että tehot romahtavat akkuvirralla.

Autoteollisuus on käännekohdassa. Yksi teknologinen läpimurto voi ratkaista sähköautojen suurimmat haasteet: kantaman, latausajan ja turvallisuuden. Tätä ratkaisua kutsutaan kiinteäelektrolyyttiseksi akuksi eli SSB-akuksi (Solid-State Battery). Viime viikkoina useat suuret autonvalmistajat ovat ilmoittaneet edistysaskelistaan, ja Toyota on ottanut ensimmäisen todellisen harppauksen kohti kaupallista käyttöä.

Gallium-nitridi (GaN) on noussut tehoelektroniikan seuraavan sukupolven avainteknologiaksi. Yole Groupin tuore Power GaN 2025 -raportti ennustaa markkinan kasvavan noin 3 miljardin dollarin arvoiseksi vuoteen 2030 mennessä. Nykyisestä markkina kasvaa näin kuusinkertaiseksi.

Infineon on laajentanut IPOSIM-virtalaitteiden simulointialustaansa tuomalla siihen SPICE-pohjaisen mallinnuksen, joka mahdollistaa aiempaa tarkemmat järjestelmätason simulaatiot. Uusi toiminnallisuus huomioi porttiajurit, ulkoiset piirit ja epälineaarisen puolijohdefysiikan, mikä parantaa merkittävästi mallien tarkkuutta erityisesti dynaamisissa ja lämpötilariippuvaisissa olosuhteissa.

Sirujen kuumeneminen on yksi tekoäly- ja superlaskennan suurimmista esteistä. Kun transistorit pienenevät ja toimivat yhä suuremmilla taajuuksilla, lämpö tiivistyy mikroskooppisiin “hot spot” -alueisiin, jotka voivat olla jopa kymmeniä asteita muuta sirua kuumempia. Tämä pakottaa prosessorit hidastamaan toimintaansa, jotta ne eivät vaurioidu.

Gallium-nitriditeknologia (GaN) on ottamassa historiallisen harppauksen korkeajännitealueelle ja haastaa ensi kertaa piikarbidin (SiC) asemat tehoelektroniikan raskaimmassa sarjassa. Power Integrationsin tuore julkaisu esittelee maailman ensimmäiset 1250 V ja 1700 V PowiGaN-kytkimet, jotka on suunniteltu NVIDIAn 800 voltin DC-arkkitehtuuriin seuraavan sukupolven tekoälydatakeskuksissa.

Suomella on parhaat valmiudet toimia Pohjoismaiden ensimmäisen fuusioreaktorin sijoituspaikkana, selviää VTT:n tuoreesta tutkimuksesta. Raportin mukaan Suomen kehittynyt sääntely-ympäristö ja aktiivinen ydinenergialain uudistus tekevät maasta houkuttelevimman vaihtoehdon fuusioenergian pilottihankkeelle.

Japanilainen Toyota aikoo olla ensimmäinen autonvalmistaja, joka tuo markkinoille täyssähköauton, jossa käytetään kiinteää elektrolyyttiä hyödyntävää akkua eli niin sanottua all-solid-state -akkua. Yhtiö tavoittelee uuden sukupolven akkuteknologian käytännön kaupallista käyttöönottoa vuosina 2027-2028.

Merkittävät puolijohdevalmistajat tekevät rohkeita investointeja tehopuolijohteisiin ja niiden valmistusprosesseihin tarjotakseen erinomaisia tehokomponentteja elektroniikan kehittämiseksi seuraavan vuosisadan yhä moninaisempiin tarpeisiin. Toshiba on ‘Excellence in Power’ -konseptillaan yksi kehityksen kärkinimistä.

Analog Devices on julkaissut uuden ADI Power Studio -alustan, joka kokoaa yhtiön virtasuunnittelutyökalut yhdeksi kokonaisuudeksi ja tuo merkittävän päivityksen webbipohjaiseen tehosuunnitteluun. Uuden alustan tavoitteena on virtaviivaistaa koko suunnitteluprosessi järjestelmätasolta piiritasolle saakka.

Datakeskusten sähkösyöppö tekoälyaikakausi pakottaa koko teollisuuden uudistamaan infrastruktuurinsa. Kun tekoälypalvelimet nielevät yhä enemmän virtaa, perinteiset 48 voltin tehonsyöttöjärjestelmät eivät enää riitä. Nyt katse on kääntynyt kohti 800 voltin – ja pian jopa 1500 voltin – jännitetasoja, jotka lupaavat parempaa hyötysuhdetta ja pienempiä häviöitä, mutta myös aivan uudenlaisia teknisiä haasteita.

Puolijohdevalmistaja Nexperia nostaa esiin tekoälyn kääntöpuolen: sähkö ei välttämättä riitä kattamaan datakeskusten kasvavaa energiantarvetta. Yhtiön strategiajohtaja Dirk Wittorf esitteli Madridissa, kuinka tekoälyn ja suurten kielimallien koulutuksen vaatima laskentateho syö sähköä ennennäkemättömällä vauhdilla.

Renesas Electronics on tuonut markkinoille uuden RA0L1-mikro-ohjainsarjan, joka tekee mahdolliseksi aiempaa energiatehokkaammat ja edullisemmat kosketusohjatut laitteet – jopa paristokäytössä. Uusi ohjain on osa Renesasin ultra-pienen virrankulutuksen RA0-sarjaa, joka on suunniteltu erityisesti kulutuselektroniikkaan, pieniin kodinkoneisiin ja teollisuuden ohjaimiin.

Gallium-nitridi (GaN) ottaa ratkaisevan askeleen kohti volyymituotantoa, kun alan suuret toimijat siirtyvät kehittämään ja valmistamaan GaN-tehopiirejä 300 millimetrin kiekoilla. Siirtymä tuo mukanaan merkittäviä kustannusetuja, parempaa suorituskykyä ja vauhdittaa GaN-teknologian leviämistä yhä laajemmille tehoalueille – aina kuluttajalatureista sähköajoneuvoihin ja datakeskusten energiajärjestelmiin.

MIT:n eli Massachusetts Institute of Technologyn tutkijat ovat kehittäneet uuden mallin, joka selittää, miten litiumionit asettuvat elektrodiin akkujen lataus- ja purkuprosessien aikana. Tätä ilmiötä kutsutaan interkalaatioksi ja se tarkoittaa, että litiumionit tunkeutuvat elektrodimateriaalin kiderakenteen väleihin ilman, että aineen perusrakenne rikkoutuu.

Tämä uusi rakenne vähentää rakenteellisia, energiaa tuottamattomia osia ja nostaa aktiivisen materiaalin osuuden jopa 80 prosenttiin akun tilavuudesta, kun tällä hetkellä osuus on 30-60 prosenttia. Tuloksena on kompaktimpi, kevyempi ja energiatehokkaampi akku, joka voi lisätä sähköauton toimintasädettä jopa 50 prosenttia.