Infrapunakameroita käytetään laajasti valvontasovelluksissa, biometrisessä tunnistuksessa, konenäössä ja teollisuuden automaatiosovelluksissa, mutta niiden valmistus on ollut tähän asti kallis prosessi. Belgialainen mikroelektroniikan tutkimuslaitos IMEC on kehittänyt uuden kennon, joka on tarkempi ja edullisempi. Edullisemmat IR-kennot mahdollistavat esimerkiksi lisätyn todellisuuden tuomiseen älypuhelimiin entistä edullisemmin.
Tähän asti infrapuna-alueen tai ns. NIR-alueen (near infrared) kennot on valmistettu hybriditekniikalla. Kiteinen puolijohde, joka sieppaa valon sekä ohjauselektroniikka on valmistettu erikseen ja sitten osat liitetään toisiinsa joko pikseli- tai piiritasolla.
Prosessoi on kallis ja aikaa vievä, eikä siinä päästä helposti kasvattamaan volyymejä. Tämä myös hidastaa merkittävästi IR-kennojen käyttöä kulutuselektroniikassa.
IMEC:n tutkijat ovat nyt kehittäneet uudenlaiseen monoliittisen ohutkalvorakenteen IR-kennojen toteutukseen. IMEC:n rakenteessa valoherkkä ohutkalvo valmistetaan suoraan elektronisen piirin päälle. Kokonaisuus valmistetaan yhtenä prosessina, joka on yhteensopiva suuren volyymin kiekkotuotannon kanssa.
Ohutkalvolla oleva pikselit on muodostettu pienen kaistaeron kvanttipistemateriaaleista, jotka vastaavat tai jopa ylittävät epäorgaanisten valoherkkien materiaalien ominaisuudet. Pikselit voidaan lisäksi virittää sieppaamaan haluttu osa spektristä näkyvästä valosta aina 2 mikrometrin aallonpituuteen asti.
Testipiireissä IMEC on yltänyt 60 prosentin kvanttitiheyteen 940 nanometrin aallonpituudessa, mikä on parempi lukema kuin tämän hetken IR-kennoissa. Valmistetun protokennon resoluutio on 758 x 512 pikseliä 5 mikrometrin pikselivälillä.
Seuraavaksi IMEC hakee kumppaneita kaupallistaakseen kehittämänsä tekniikan.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
