Avoimen RISC-V-käskykannan kehitystä johtava säätiö aikoo muuttaa Sveitsiin. Monissa lehdissä uutisoitu päätös on reaktio USA:n presidentti Donald Trumpin kauppapolitiikkaan. Säätiö ei halua joutua tilanteeseen, jossa sitä vaaditaan rajoittamaan avoimen arkkitehtuurin käyttöä.
RISC-V-käskykanta on kehitetty Yhdysvalloissa, tarkemmin Berkeleyn yliopistossa. USA:n kauppaministeriö on jo puolen vuoden ajan pitänyt kiinalaisyrityksiä saarrossa, tosin esimerkiksi Huaweille on kolmeen otteeseen annettu täyskieltoon jatkoaikaa.
Samaan aikaan amerikkalaisyritykset ovat hakeneet kauppaministeriöltä satoja erikoislupia, jotta ne voisivat jatkaa kaupantekoa Huawein kanssa. Monelle puolijohdetalolle Huawei on merkittävä asiakas ja epävarmuus on johtanut moneen tulosvaroitukseen jenkkiyrityksissä.
Vuonna RISC-V Foundation ei omista itse tekniikkaa. Tekniikka on säätiön jäsenyritysten omistama ja joukkoon kuuluu paljon yrityksiä eri puolilta maailmaa, esimerkiksi Huawei. Säätiön päämaja on olut Delawaressa ja sitä ollaan siis siirtämässä Sveitsiin. Analyytikot pitävät päätöstä viestinä Yhdysvaltain hallinnolle.
RISC-V-tekniikkaa on aiemmin rahoittanut myös USA:n puolustusministeriön alainen DARPA-tutkimuskeskus. Sen kommentin mukaan RISC-V on kehitetty kaikkien maailman yritysten ja korkeakoulujen käyttöön.
Semico Researchin tuoreen ennusteen mukaan markkinoille on vuoteen 2025 mennessä toimitettu yhteensä 62,4 miljardia RISC-V-ydintä. Suurin sektori on teollisuuden laitteet, joihin avointa prosessoria toimitetaan 16,7 miljardia kappaletta. RISC-V-käytön ja suorittimien markkinoiden uskotaan lähtevän räjähdysmäiseen kasvuun vuonna 2022.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
