Kalifornian yliopiston Viterbi-tutkimusyksikössä on kehitetty uusi haihtumaton muisti, joka lupaa enemmän nopeutta datansiirtoon, pidempää toimina-aikaa akuilla ja vähemmän datan korruptoitumista. Muisti perustuu ferrosähkiseen tunneliliitokseen.
Tunneliliitosta käytetään haihtumattomissa muisteissa kahden sähköisesti johtavan materiaalin välissä eristeenä. Haihtumattomassa muistissa data säilyy, vaikka laitteesta katkaistaisiin virta. Ehkä tyypillisin haihtumaton muisti on USB-tikku tai kiintolevy.
Viterbin keskuksen tutkijat ovat julkaisseet Nature Electronics -lehdessä innovaationsa, jossa tunneliliitos perustuu epäsymmetrisistä metalli- ja puolimetallisista grafeenimateriaaleista. Näiden materiaalien avulla tutkijat pystyivät ylittämään kaikki aiemmin kehitettyjen FTJ-piirien ominaisuudet.
Tutkijoiden mukaan uudet materiaalit on mahdollista skaalata atomimittakaavaan, joten datan lukemiseen, kirjoittamiseen ja poistamiseen tarvittavaa jännitettä voidaan vähentää huomattavasti.Tämä mahdollistaa merkittävästi nykyistä energiatehokkaamman elektroniikan kehittämisen.
Tutkijat uskovat, että heidän kehittämänsä muisti voisi tulevaisuudessa korvata flashin sekä muistitikuissa että älypuhelinten massamuisteissa. Materiaalit lupaavat myös pitkää retentioaikaa eli data säilyy tallessa pitkiä aikoja.