Virtuaalisen Electronica-messun aikaan Analog Devices esitteli toisen polven MEMS-kytkimensä, jolla voidaan toteuttaa sekä DC- että laajakaistaista RF-signaalia. Piirin avulla voidaan kehittää integroituja ratkaisuja ATE- eli automaattiseen laitetestaukseen.
ATE-testereissä on käytetty releitä, jotka sopivat erinomaisesti DC-testaukseen. Sen sijaan RF-signaaleissa releillä on aina ollut omat rajoituksensa: kaistanleveys on iso haaste, samoin koko, kertoi ADI:n kytkinratkaisujen sovelluspäällikkö Eric Carty.
Piipohjaisissa kytkimissä ongelma on puolestaan ollut heikko DC-suorituksyky. ADI:n uudella MEMS-kytkimellä onnistuu sekä tehotestaus että RF-testaus, Carty kehuu.
Uusi kytkinkomponentti on RF-laminaatille ladottu järjestelmä, johon on integroitu monikanavainen SPI-liitäntäinen ohjauspiiri, vaadittavat kondensaattorit ja vastukset, sekä uusittu MEMS-piiri. MEMS-komponentissa ADI on onnistunut suunnittelemaan komponentin kytkevän palkin tai jousen uusiksi.
Ensimmäisen polven MEMS-kytkimessään ADI käytti vielä perinteistä jousirakennetta. Siinä jousen painuminen kytkee virran. Ratkaisu on vankka. Toisen polven MEMS-kytkimessä kytkinjousi on keinulautatyyppinen. Se kytkee hilan kummallakin puolella kytkintä.
Tällä saadaan aikaan yli 34 gigahertsin kaistaleveys. Kytkin pystyy käsittelemään yli 200 milliampeerin jatkuvia virtoja. Kytkimen avulla voidaan mitata jopa 40 dBm RF-tehoja pienellä tehonkulutuksella ja uuden rakenteen myötä komponentille luvataan yli 10 vuoden elinikä. Uudella alustalla kytkentähäviöt ovat vain 1,5 desibeliä 34 gigahertsissä. Kytkimen lineaarisuus on korkea (69 dBm).
Eric Cartyn mukaan uusi kytkin sopii ominaisuuksiensa ansiosta ATE-testauksen lisäksi 5Gtukiasemiinkin. Aivan vielä se ei ole siihen valmis, sillä 5G:ssä tarvtaan suurempia tehoa ja parempi lineaarisuus. Kaikkeen RF-testaukseen uusi kytkinalusta sopii sen sijaan erittäin hyvin.