Fujio Matsuoka tunnetaan NAND-muistin kehittäjänä. Nykyään tutkija työskentelee uuden Unisantis Electronics -yrityksensä kanssa täysin uuden muistitekniikan parissa. Sen nimeksi on annettu DFM eli Dynamic Flash Memory.
IEEE:n muistitekniikan konferenssissa esitetyn tekniikan on tarkoitus korvata nykyiset DRAM-muistit. Sen pitäisi tuoda neljä kertaa DRAMia parempi tiheys paremmalla suorituskyvyllä ja alhaisemmalla tehonkulutuksella.
DRAM on kondensaattoripohjainen tekniikka, jonka haaste on pitkään ollut tallennustiheyden kasvattaminen ilman, että kustannukset tai tehonkulutus kasvaisivat. DFM haluaa ylittää perinteisen haihtuvan muistin rajoitukset, joiden takia muistia pitää virkistää tiheään.
DFM:ssä bitti ei myöskään säily muistissa ilman virtaa, mutta koska se ei ole riippuvainen kondensaattoreista, sillä on vähemmän vuotopolkuja, sillä kytkentätransistoreiden ja kondensaattorin välillä ei ole liitäntää.
DFM-muistissa solu perustuu SGT-transistoriin (Surrounding Gate Transistor), jossa FETti on nostettu pystysuoraan. Tämä mahdollistaa tallennustiheyden merkittävän kasvattamisen ja flash-tyyppisen bittien poispyyhkimisen lohkotasolla.
DFM pienentää muistin virkistykseen tarvittavaa kellotaajuutta, mikä kutistaa tehonkulutusta merkittävästi. Silti datanluku nopeutuu selvästi. Unisantiksen esittämien simulointien mukaan tallennusnopeus on noin nelinkertainen perinteisiin DRAM-muisteihin verrattuna.
Tällä hetkellä DRAM-piirien tiheyden kehitys näyttää pysähtyneen 16 gigabittiin. Unisantiksen mallinnusten mukaan DFM voisi heti tuoda 64 gigabitin tiheyden piireihin.
Läpilyödessään uusi tekniikka mullistaisi merkittävän osan puolijohdealaa. Muistit ovat suurin yksittäinen sektori puolijohteissa ja DRAM:n osuus markkinoista on yli 50 prosenttia. DFM-tekniikka tähtää siis yli sadan miljardin dollarin markkinoille.