NXP on esitellyt uudet galliumnitridiin perustuvat tehovahvistimensa, jotka on integroitu sen uusiin 5G-tukiasemien monisirumoduuleihin. Aiempaan verrattuna GaN parantaa piirien energiatehokkuutta kahdeksan prosenttia.
Mobiilidatan vaatimien verkkolaitteiden virrankulutus on kasvava ongelma, kun energiankulutusta yritetään muutenkin kaikkialla kutistaa. Lisäksi NXP:n Arizonan tehtaassa valmistetut GaN-tehovahvistimet pienentää tukiasemaradioiden kokoa ja painoa, ja nopeuttaa 5G-järjestelmien suunnittelua ja käyttöönottoa.
NXP on samalla ensimmäinen tehovahvistimien valmistaja, joka tuo GaN-pohjaiset piirit mMIMO-radioille integroiduille monisirumoduuleille. GaN nostaa tukiasemaradioiden monisirumoduulien hyötysuhteen 52 prosenttiin. Lukemaa ei voi vieläkään pitää kävin hyvänä, mutta 2,6 gigahertsin taajuusalueella energiatehokkuus kasvaa kuitenkin 8 prosenttia.
NXP hyödyntää tehovahvistimissaan sekä LVDOM- että GaN-piiritekniikkaa. Näiden avulla saadaan yhdellä vahvistinpiirillä tuotettua hetkellinen 400 megahertsin kaistanleveys. Se mahdollistaa laajakaistaradion suunnittelun yhdellä tehovahvistimella.
NXP tarjoaa uusista 5G-monisirumoduuleistaan näytepiirejä verkkolaitevalmistajille kolmannella vuosineljänneksellä, ja tuotanto alkaa myöhemmin tänä vuonna. Suunnitteluun yhtiö tarjoaa uutta RapidRF-sarjan RF-etupääkorttia.
Lisätietoa NXP:n 5G-tuotteista löytyy täältä.