Neo Semiconductor kohahdutti vähän aikaa sitten esittelemällä uudentyyppisen DRAM-muistin. Nyt yhtiö on esitellyt toisen sukupolven piirin NAND-muistit uudistavasta X-NAND-arkkitehtuuristaan. Kyse on peräti 20 kertaa nykyisiä 3D-flasheja nopeammasta muistista.Käytännössä Neo lupaa yhden bitin jokaiseen soluun tallentavien SLC-piirien nopeuden QLC-siruille, joissa soluun tallennetaan neljä bittiä. Lisäksi toisen polven arkkitehtuuri ei nosta piirien valmistuskustannuksia.
X-NAND-muistissa NAND-matriisi jaetaan rinnakkaisiin linjoihin, mikä nopeuttaa IO-linjoja. Toisen polven X-NAND kaksinkertaistaa ykköspolven nopeuden.
Mitä tämä tarkoittaa käytönnössä? Tyypillisessä tämän hetken SSD-levyssä dataa voidaan kirjoittaa 160 megatavua sekunnissa. Ensimmäisen polven X-NAND yltää 1600 megatavuun sekunnissa. Paranneltu X-NAND-arkkitehtuuri yltää yhtiön mukaan 3200 megatavun sarjamuotoiseen datankirjoitukseen.
Suuremman kapasiteetin lisäksi myös kirjoituksen latenssi lyhenee. Satunnaisluvussa ja -kirjoituksessa nopeuslisäys on kolminkertainen.
X-NAND tukee kaikkia eri NAND-tyyppejä. Tekniikka voidaan toteuttaa IP:nä eri valmistajien siruille.