Tällä hetkellä tihein prosessi, jossa mikropiirejä valmistetaan, on TSMC N3E. Siinä transistorit valotetaan siruille 3 nanometrin resoluutiolla. Ensi vuoden lopulla tuotantoon tulee kahden nanoetrin N2 ja vuonna 2026 jo 1,6 nanometrin N16-prosessi.
TSMC kertoi uutiset Piilaakson Santa Clarassa järjestetyssä Pohjois-Amerikan symposiumissaan. Tapahtuma järjestettiin jo 30. kerran, joten sillä on pitkät perinteet.
1,6 nanometrin prosessi perustuu GAA-tyyppisiin (gate-all-around) nanokalvotransistoreihin. GAA viittaa transistorirakenteeseen, jossa hila ympäröi kanavaa kokonaan. TSMC:n mukaan N16-prosessi tuottaa 10 prosenttia korkeamman kellotaajuuden samalla jännitteellä kuin N2. Virrankulutus pienenee 15-20 prosenttia ja transistoritiheys kasvaa 7-10 prosenttia.
Nanokalvotransistoreita TSMC alkaa käyttää jo ens vuonna N2-prosessin yhteydessä. Yhtiö kutsuu teniikkaa nimellä NanoFlex. NanoFlex tarjoaa suunnittelijoille joustavuutta N2-standardisoluissa, jotka ovat sirusuunnittelun perusrakennuspalikoita. Lyhyet solut tarkoittavat pientä pinta-alaa ja suurempaa energiatehokkuutta. Korkeat solut puolestaan maksimoivat suorituskyvyn. Asiakkaat voivat optimoida lyhyiden ja korkeiden solujen yhdistelmän samassa suunnittelulohkossa.
TSMC kertoi samalla tuovansa tarjolle viritellyn version aiemmasta N4P-prosessista. N4C alentaa valmistuskustannuksia jopa 8,5 prosenttia. Neljän nanometrin prosessissa valmistetaan esimerkiksi useita mobiiliprosessoreja.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
