Tällä hetkellä tihein prosessi, jossa mikropiirejä valmistetaan, on TSMC N3E. Siinä transistorit valotetaan siruille 3 nanometrin resoluutiolla. Ensi vuoden lopulla tuotantoon tulee kahden nanoetrin N2 ja vuonna 2026 jo 1,6 nanometrin N16-prosessi.
TSMC kertoi uutiset Piilaakson Santa Clarassa järjestetyssä Pohjois-Amerikan symposiumissaan. Tapahtuma järjestettiin jo 30. kerran, joten sillä on pitkät perinteet.
1,6 nanometrin prosessi perustuu GAA-tyyppisiin (gate-all-around) nanokalvotransistoreihin. GAA viittaa transistorirakenteeseen, jossa hila ympäröi kanavaa kokonaan. TSMC:n mukaan N16-prosessi tuottaa 10 prosenttia korkeamman kellotaajuuden samalla jännitteellä kuin N2. Virrankulutus pienenee 15-20 prosenttia ja transistoritiheys kasvaa 7-10 prosenttia.
Nanokalvotransistoreita TSMC alkaa käyttää jo ens vuonna N2-prosessin yhteydessä. Yhtiö kutsuu teniikkaa nimellä NanoFlex. NanoFlex tarjoaa suunnittelijoille joustavuutta N2-standardisoluissa, jotka ovat sirusuunnittelun perusrakennuspalikoita. Lyhyet solut tarkoittavat pientä pinta-alaa ja suurempaa energiatehokkuutta. Korkeat solut puolestaan maksimoivat suorituskyvyn. Asiakkaat voivat optimoida lyhyiden ja korkeiden solujen yhdistelmän samassa suunnittelulohkossa.
TSMC kertoi samalla tuovansa tarjolle viritellyn version aiemmasta N4P-prosessista. N4C alentaa valmistuskustannuksia jopa 8,5 prosenttia. Neljän nanometrin prosessissa valmistetaan esimerkiksi useita mobiiliprosessoreja.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.