Micron on kehittänyt Intelin kanssa uuden DRAM-moduulin, joka parantaa suorituskykyä etenkin suurteholaskennassa. Moduuli on nimeltään MRDIMM (multiplexed rank dual inline memory module) ja se tukee 32-256 gigatavun kapasiteetteja.
MRDIMM on kehittynyt muistikomponentti, joka on suunniteltu parantamaan DRAM-muistin (Dynamic Random-Access Memory) suorituskykyä ja tehokkuutta erityisesti korkean suorituskyvyn laskentaympäristöissä. MRDIMM-muistitekniikka esiteltiin vastaamaan kasvavaan tarpeeseen lisätä muistin kaistanleveyttä ja kapasiteettia palvelimissa ja datakeskuksissa, erityisesti tekoäly-, koneoppimis- ja big data -analytiikkakuormissa.
Sillä on monia etuja perinteisiin DIMMeihin verrattuna. MRDIMM käyttää multiplekseritekniikkaa muistin kaistanleveyden tehokkuuden lisäämiseksi. Multiplekserin avulla voidaan käsitellä useita muistilohkoja samanaikaisesti tai tehokkaammin, mikä vähentää perinteisten DIMM-kampojen aiheuttamia pullonkauloja.
MRDIMM voi merkittävästi kasvattaa muistin kaistanleveyttä verrattuna tavanomaisiin DIMM-muisteihin. Tämä suurempi kaistanleveys on tärkeä sovelluksissa, jotka vaativat nopeaa tietojenkäsittelyä ja alhaista viivettä. Moduulit voivat tukea suurempia muistimääriä, mikä tekee niistä sopivia muistia paljon vaativiin sovelluksiin. Tämä saavutetaan optimoimalla moduulin sisäinen rakenne ja pääsymekanismit.
Micronin ensimmäiset MRDIMM-moduulit tukevat DDR5-määrityksiä fyysisesti ja sähköisesti. Yhtiön mukaan tämä tuo 39 prosentin lisäyksen kaistanleveyteen, yli 15 prosenttia paremman väylän hyötysuhteen ja 40 prosenttia lyhyemmän latenssin.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
