Samsung ilmoittaa aloittaneensa yhden terabitin NAND-piirien valmistamise´n 9. sukupolven V-NAND-tekniikallaan. Rakenteessa tallennetaan neljä bittiä yhteen soluun. Tämä QLC-rakenne perustuu uuteen innovatiiviseen CHE-tekniikkaan.
CHE tulee sanoista Channel Hole Etching. Kyse on tekniikasta, joka parantaa NAND-muistin pystysuuntaista skaalautuvuutta erityisesti 3D NAND -rakenteissa. CHE:n perusperiaate on syvien ja kapeiden reikien (kanavien) etsaaminen muistisolujen kerrostettuun rakenteeseen, jolloin syntyy pystysuunnassa linjattu muistirakenne.
Pystysuuntainen kerrostaminen lisää NAND-piirien tallennustiheyttä ja kapasiteettia ilman, että muistisolujen kokoa tarvitsee pienentää, mikä olisi vaikeampaa perinteisellä 2D-skaalauksella. CHE-prosessissa sylinterimäiset reiät (kanavat) etsataan näiden pinottujen kerrosten läpi, muodostaen NAND-muistisolujen porttirakenteen.
Haasteena on saavuttaa erittäin syvät kanavat suhteessa niiden leveyteen, samalla säilyttäen tarkkuus. CHE mahdollistaa näiden kanavien tarkan etsaamisen, varmistamalla että pystysuuntainen muistirakenne toimii oikein ja tehokkaasti.
Aiempaan polveen verrattuna uusi V-NAND-rakenne parantaa datanluku- ja kirjoitusnopeutta peräti 60 prosenttia samalla kun virrankulutus pienenee 30-50 prosenttia. Tallennettu data myös säilyy 20 0prosenttia aiempaa pidempään.
Samsung aikoo laajentaa QLC:n yhdeksännen sukupolven V-NANDin sovelluksia alkaen SSD-levyistä. Jatkossa tekniikkaan käytetään myös mobiililaitteiden UFS- eli Universal Flash Storage -moduuleissa.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
