Samsung on esitellyt 10. sukupolven V-NAND -muistin, joka tuo merkittäviä parannuksia SSD-levyjen nopeuteen ja kapasiteettiin. Yhtiön uusin muistiteknologia ylittää aiemmat ennätykset yli 400 kerroksellaan ja 5,6 GT/s siirtonopeudellaan.
Samsung julkisti uuden V-NAND -sukupolvensa International Solid-State Circuit Conference 2025 -tapahtumassa. Uusi NAND-muisti käyttää hybridibondausta, jossa muistisolut ja ohjauspiirit valmistetaan erikseen ja yhdistetään tehokkaammin. Tämä mahdollistaa huomattavasti nopeamman tiedonsiirron ja paremman suorituskyvyn tulevissa SSD-levyissä.
Uutuuspiireillä on yli 400 metallointikerrosta. Tämä on alan uusi ennätys ja parantaa tallennustiheyttä ja suorituskykyä. Datansiirtonopeus mahdollistaa jopa 700 megatavun siirtämisen NAND-piiriä kohti, mikä avaa ovia ultra-nopeille SSD-ratkaisuille. Lisäksi uusi NAND-muisti mahdollistaa jopa 16 teratavun SSD-levyt M.2-formaatissa.
Samsungin uuden NAND-muistin myötä tulevat SSD-levyt voivat täyttää PCIe 4.0 ja 5.0 -liitäntöjen nopeuskapasiteetit – ja jopa hyödyntää tulevaa PCIe 6.0 -standardia. Tämä tarkoittaa huomattavasti nopeampia luku- ja kirjoitusnopeuksia, mikä hyödyttää erityisesti pelaajia, sisällöntuottajia ja datakeskuksia.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.