Samsung on esitellyt 10. sukupolven V-NAND -muistin, joka tuo merkittäviä parannuksia SSD-levyjen nopeuteen ja kapasiteettiin. Yhtiön uusin muistiteknologia ylittää aiemmat ennätykset yli 400 kerroksellaan ja 5,6 GT/s siirtonopeudellaan.
Samsung julkisti uuden V-NAND -sukupolvensa International Solid-State Circuit Conference 2025 -tapahtumassa. Uusi NAND-muisti käyttää hybridibondausta, jossa muistisolut ja ohjauspiirit valmistetaan erikseen ja yhdistetään tehokkaammin. Tämä mahdollistaa huomattavasti nopeamman tiedonsiirron ja paremman suorituskyvyn tulevissa SSD-levyissä.
Uutuuspiireillä on yli 400 metallointikerrosta. Tämä on alan uusi ennätys ja parantaa tallennustiheyttä ja suorituskykyä. Datansiirtonopeus mahdollistaa jopa 700 megatavun siirtämisen NAND-piiriä kohti, mikä avaa ovia ultra-nopeille SSD-ratkaisuille. Lisäksi uusi NAND-muisti mahdollistaa jopa 16 teratavun SSD-levyt M.2-formaatissa.
Samsungin uuden NAND-muistin myötä tulevat SSD-levyt voivat täyttää PCIe 4.0 ja 5.0 -liitäntöjen nopeuskapasiteetit – ja jopa hyödyntää tulevaa PCIe 6.0 -standardia. Tämä tarkoittaa huomattavasti nopeampia luku- ja kirjoitusnopeuksia, mikä hyödyttää erityisesti pelaajia, sisällöntuottajia ja datakeskuksia.
Bluetooth ja Wi-Fi ovat olleet vuosikymmenten ajan vakiovalinnat langattomissa kuulokkeissa, peliohjaimissa ja oheislaitteissa. Nyt tilanne muuttuu nopeasti: yhdysvaltalainen Spark Micro tuo markkinoille UWB-pohjaisen (Ultra-Wideband) ratkaisun, joka tarjoaa huomattavasti paremman vasteajan, tiedonsiirtonopeuden ja energiatehokkuuden.
