Espoolainen Beneq laajentaa atomikerroskasvatuksen (ALD) käyttöä tuotantoteollisuuteen uudella Transmute-alustallaan. Yhtiö tunnetaan ALD-tekniikan pioneereista, ja Transmute on suunniteltu suoraan suurivolyymiseen puolijohdevalmistukseen, jossa pinnoitteiden laatu ja tasaisuus määrittelevät komponenttien suorituskyvyn.
Uutuustyökalu tähtää erityisesti laajakaistaisten tehopuolijohteiden, edistyneiden RF-laitteiden, mikro-LEDien ja muiden erikoiskomponenttien valmistukseen. Beneq vie Transmute-alustalla aiemman Transform XP -järjestelmänsä periaatteet tuotantoympäristöihin: laite yhdistää plasma-esikäsittelyn, plasma-avusteisen ALD:n ja termisen eräprosessin yhdeksi kokonaisuudeksi, joka tuottaa atomitarkat kalvot nyt teollisen mittakaavan läpimenolla.
Transmuten 25 waferin kammio, virtausoptimoitu arkkitehtuuri ja kehittynyt esiasteiden annostelu mahdollistavat tasaisen pinnoituksen ja nopean syklin, mikä vähentää materiaalihukkaa ja alentaa kustannuksia. Beneqin mukaan ratkaisu tarjoaa läpimenoajan ja laadun, jota tehopuolijohteiden ja RF-komponenttien valmistajat ovat peräänkuuluttaneet.
Modulaarinen klusterirakenne tukee sekä termistä että plasma-ALD:ta ja mahdollistaa jopa yhdentoista prosessimoduulin konfiguroinnin. Tämä antaa valmistajille mahdollisuuden räätälöidä järjestelmä omiin sovelluksiinsa ja kasvattaa kapasiteettia tuotannon kasvaessa.
Beneqin mielestä Transmute vastaa laajempaan markkinatrendiin, jossa elektroniikan suorituskykyä nostetaan materiaaliratkaisujen kautta ja samalla haetaan energiatehokkaita tuotantomenetelmiä. Yhtiön mukaan uutuus tekee ALD:stä ensimmäistä kertaa aidosti suurivolyymisen valmistuksen teknologian erikoiskomponenttien tuotannossa.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.