Melexis on esitellyt uuden MLX91299-suojapiirin, joka lupaa merkittävän parannuksen SiC-tehomoduulien kytkentäkäyttäytymiseen. Uutuus on piipohjainen, moduulin sisään integroitava suodinpiiri (RC-snubber), jonka tarkoitus on vaimentaa SiC-komponenttien luontaisesti tuottamia jännitepiikkejä ja värähtelyä.
Nopeasti kytkeytyvät SiC-transistorit tuottavat dv/dt-piikkejä, ylijännitteitä ja korkeataajuista rengasvärähtelyä, jotka heikentävät hyötysuhdetta ja rasittavat moduuleja lämpöisesti ja sähköisesti. Melexisin mukaan piirin uusi rakenne voi pienentää kytkentähäviöitä jopa 50 prosentilla, mikä parantaa järjestelmän tehotiheyttä ja vähentää jäähdytyksen tarvetta.
MLX91299 on erikoislaite, jossa vastus ja kondensaattori on yhdistetty samalle piisirulle. Sen muoto ja taustametallointi mahdollistavat asennuksen suoraan tehomoduulin sisään samaan lämpökanavaan SiC-transistorien kanssa. Tämä helpottaa valmistusta, vähentää erillisosien tarvetta ja varmistaa tasaisen lämmönhallinnan myös 200 °C liitoslämpötiloissa.
Yli 1,5 kV:n läpilyöntijännite tekee komponentista sopivan autoteollisuuden korkeajännitesovelluksiin, kuten vetoakselin inverttereihin, OBC-latureihin ja DC/DC-muuntimiin. Moduulin sisäinen suodin vähentää myös EMC-ongelmia ja laitteita kuormittavia ylijännitepiikkejä, mikä parantaa järjestelmän luotettavuutta.
- Ratkaisumme antaa suunnittelijoille keinon hallita SiC-moduulien nopeiden kytkentöjen tuomia haasteita ja optimoida suorituskyvyn sekä kustannukset”, sanoo Melexisin tuotelinjajohtaja Billy Ye. MLX91299 on ensimmäinen tuote yhtiön uudessa Protective Device -perheessä, jonka on määrä laajeta useisiin suurjännitesovelluksiin. Näytepiirit ovat jo valittujen asiakkaiden testattavana.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
