Nykyisten mikropiirien valotuslaitteiden skaalautuminen pienempään näyttää päättyvän noin 10 nanometriin. Valmistuslaitteita kehittävä hollantilainen ASML kertoo, että taiwanilainen TSMC on jo tilannut kaksi EUV-valotuslaitteistoa. Ne asennetaan taiwanilaislinjoille ensi vuoden aikana.
EUV-laitteita on testattu jo vuosia. Niissä käytetään 13,5 nanometrin aallonpituutta, joka linssien ja muiden ratkaisujen myötä taipuu huomattavasti tiheämpiin viivanleveyksiin. Ongelma on se, että kaikki optiikka imee itseensä jopa 96 prosenttia EUV-valonlähteestä. Siksi yritykset ovat kehittäneet yhä tehokkaampia valonlähteitä.
ASML:n mukaan TSMC on tilannut kaksi NXE:3350B-slitografialaitteistoa. TSMC:llä on ollut testikäytössä kaksi aiempaa EUV-laitteistoa, jotka tullaan myös päivittämään NXE:3350B-kantaan.
Aiemmin on arvioitu, että EUV tulisi piirien volyymituotantoon vuoden 2020 tienoilla.