NAND-piirien valmistajat ovat vasta siirtymässä käyttämään siruissaan 3D-rakenteita. Siksi TechInsightsin analyysi Samsungin kolmiulotteisia VNAND-piirejä käyttävistä SSD-levyistä on mielenkiintoista luettavaa.
3D-rakenne on kehitetty flash-muisteihin sen takia, että yhä pienemmillä jännitteillä on yhä hankalampaa ohjelmoida ykkösiä ja nollia alle 20 nanometrin viivanleveyksillä. Tasomaisen rakenteen sijaan solujen lisääminen pystysuunnassa tekee kyllä valmistamisesta haastavaa, mutta tuo merkittäviä tuloksia.
TechInsightsin suurennuslasin alla on ollut Samsungin 256 gigabitin VNAND-siru, jonka avulla on valmistettu yhtiön kahden teratavun SSD-levy T3. VNAND-piirille dataa saadaan sopimaan 2600 megabittiä yhdellä neliötuumalla.
Vertailun vuoksi: Samsung planaarinen eli 2D-transistoriin pohjaava 16 nanometrin NAND-piiri tallentaa vain 740 megabittiä neliömillille. Ero on siis ylikolminkertainen.
Eroa korostaa vielä se, että Samsungin VNAND-piiri valmistetaan 21 nanometrin prosessissa.
TechInsightin poikkileikkaus piiristä paljastaa, että metallointikerroksia on kaikkiaan 55. Näistä 48 kuluu NAND-solujen rakentamiseen.
Lisätietoja TechInsightsin sivuilta.