Magneettista RAM-muistia pidetään yhtenä tulevaisuuden lupaavimmista tekniikoita. Yksi alueen pioneereja eli Everspin on ryhtynyt toimittamaan asiakkailleen MRAM-piirejä, joissa datankirjoitus tapahtuu peräti 100 tuhatta kertaa NAND-flashia nopeammin.
Everspinin 256 megabitin piiri nojaa yhtiön pMTJ-tekniikkaan (perpendicular magnetic tunnel junction) eli pystysuoraan magneettiseen tunneliitokseen. MRAM-piirien yleiseen tapaan bitin arvo muuttuu muuttamalla magneettikentän suuntaa pystyyn tai vaakaan.
Erverspinin muisti tukee DDR3-liitäntää. Yhtiö esittelee uutuuttaan ensi viikolla Piilaaksossa järjestettävässä Flash Memory Summitissa. Siellä demotaan PCI-väyläistä SSD-levyä, joka kykenee 1,5 miljoonaan IO-operaatioon sekunnissa (input output operations per second). Lukema ylittää selvästi kaikki nykymuistien suorituskykylukemat.
256 megabitin piirit on valmistettu 40 nanometrin prosessissa Globalfoundriesin linjoilla. Kun piirin volyymituotanto ensi vuonna alkaa, sirujen koko pienenee oleellisesti.
Everspin työstää jo seuraavan polven pMJT-piirejä. Niissä kapasiteetiksi tavoitellaan yhtä gigabittiä.






















