Tutkijat ympäri maailman kehittävät vaihtoehtoja piipohjaisille muistipiireille. Stanfordin yliopistossa on kehitetty uusien materiaalien avulla muisti, joka voi olla jopa tuhat kertaa nykyisiä muistipiirejä nopeampi.
Stanfordissa on kehitetty vaihemuutokseen (PS, phase change) perustuvaa muistia, jossa hyödynnetään sitä joidenkin materiaalien ominaisuutta, että se voi olla kahdessa eri olomuodossa. PS-muisteja on kehitetty tutkimuslaitoksissa jo pitkän aikaa.
Physical Review Letters -lehdessä professori Aaron Lindenbergin johtama tiimi kuvaa muistiaan, joka voi olla sekä kiteisessä että amorfisessa tilassa. Kiteisessä muodossa rakenne sallii elektronien liikkeen, amorfisessa eli järjestäytymättömässä muodossa elektronien liike estyy.
Tätä ominaisuutta voidaan hyödyntää ykkösten ja nollien tallennukseen. Hyvää tekniikassa on se, että se voi olla selvästi nykyisiä muisteja nopeampi. Stanfrodin tutkijoiden uusien arvioiden mukaan jopa tuhat kertaa nykyisiä muistipiirejä nopeampi.
Lisäksi vaiheen muutos vaatii hyvin vähän energiaa. Tämä tekisi PS-muisteista paitsi nopeampia ja pienempiä, myös selvästi energiatehokkaampia kuin nykymuistit.
Lisätietoa löytyy Stanfordin sivuilta.






















