Tulevia seitsemän nanometrin piirejä ei käytännössä voi valmistaa nykyisillä 193 nanometrin laseria käyttävillä askelvalottimilla. Sen takia valmistuksessa tapahtuu iso murros, kun siirrytään EUV-tekniikan käyttämiseen. Murros tapahtuu jo ensi vuonna.
Samsung kertoo juuri lisänneensä 11 nanometrin FinFET-prosessin yrityksille tarjoamiensa valmistusprosessien joukkoon. Sitä pienempään ei nykylaitteistolla päästä. Onneksi Samsung sanoo, että 7LPP-prosessori (7 nm low power process) on silti aikataulussa.
7 nanometrin piireillä kuviot tullaan piirtämään EUV-tekniikalla eli piirtoviivan aallonpituus on 13,5 nanometriä. Samsung sanoo aloittavansa EUV_tuotannon jo ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.
Yhtiö kertoo valmistaneensa kaikkiaan lähes 200 tuhatta kiekkoa EUV-litografialla vuodesta 2014 lähtien. Tällä hetkellä esimerkiksi 256 megabitin SRAM-piireissä on päästy 80 prosentin saantoon. Neljä viidestä tuotetusta sirusta siis toimii toivotulla tavalla.
Pitää tietenkin muistaa, että EUV-litografiaa tarvtaan vain kaikkein edistyneimpien piirien valmistukseen. Iso osa puolijohdealasta jatkaa vanhemmilla prosesseilla ja tuotantolaitteilla vielä pitkän aikaa.


ETN:n digitaalinen aikakauslehti ETNdigi 1/2026 on julkaistu. Uusi numero kokoaa yhteen elektroniikka-alan keskeisiä teknologiateemoja kvanttilaskennasta ja tekoälystä energiatehokkaaseen tehoelektroniikkaan, IoT-järjestelmiin ja ajoneuvojen latausinfrastruktuuriin.
Nokian toimitusjohtaja Justin Hotard arvioi yhtiön Yhdysvaltain arvopaperimarkkinavalvoja SEC:lle toimittamassa Form 20-F 2025 -vuosiraportissa, että mobiiliverkkomarkkina ei ole lähivuosina varsinainen kasvuala. Hänen mukaansa markkinan odotetaan pysyvän lähinnä vakaana samalla kun Nokia keskittyy parantamaan liiketoiminnan kannattavuutta.

















