Samsung kertoo saaneensa valmiiksi mobiililaitteiden LPDDR5-muistien kehitystyön. 8 gigabitin LPDDR5-muistit on tarkoitettu erityisesti tuleviin 5G-älypuhelimiin ja niiden tuotanto alkaa asiakaskysynnän myötä, Samsung ilmoittaa.
LPDDR-määritykset viittaavat väylätekniikoihin, jotka on kehitetty erittäin alhaisella käyttöjännittellä toimiviin laitteisiin. Datanopeus on jopa 6400 megabittiä sekunnissa, mikä on puolitoista kertaa nykyisiä LPDDR4-siruja nopeammin.
Samaan aikaan tulevat LPDDR5-piirit operoivat 1,1 voltin jännitteellä. Samsungin mukaan tulossa on myös 1,05 voltin piirit, joissa datanopeus rajoittuu ”vain” 5,5 gigabittiin sekunnissa.
Samsungin mukaan nopeuden kasvu perustuu ennen kaikkea muistilohkojen tai ”pankkien” määrän kasvattamiseen kahdeksasta kuuteentoista yhdessä DRAM-solussa. Piireissä tullaan myös käyttämään deep sleep -tilaa, joka kutistaa piirin tehonkulutuksen valmiustilassa noin puoleen nykyisten LPDDR4-piirien lukemista.
Markkinoille odotetaan ensimmäisiä uusilla muisteilla varustettuja älypuhelimia jo lähikuukausina.