Piiritekniikan vuosittainen ISSCC-konferenssi järjestetään taas helmikuussa San Francsicossa. Tällä kertaa esillä ei ole uusia huipputehokkaita prosessoreja, vaan pääosaan nousevat tekoälypiirit, modeemit ja muistit. Toshiba esittelee NAND-piiriä, jossa dataa voidaan tallentaa jo 8,5 gigabittiä yhdelle neliömillille.
ISSCC:n ennakkotietojen mukaan Toshiba esittelee konferenssissa 96 metallikerrokseen perustuvaa 3D-piiriä, jossa yhteen soluun saadaan tallennettua neljä databittiä. Yhdelle sirulle saadaan näin tallennettua dataa peräti 1,33 terabittiä.
Sandiskin ostanut Western Digital esittelee puolestaan ensimmäistä NAND-piiriä, joka perustuu 128 metallikerroksen rakenteeseen. Sen kapasiteetti on ”vain” puoli teraa eli 512 gigabittiä. Kapasiteetiltaan samanlaista piiriä esittelee myös Samsung, jonka sirulla dataa voidaan lukea 1,2 gigabitin sekuntinopeudella.
Myös uudet DDR5-väylät pääsevät esiin ISSCC:ssä. Samsungin DDR5-pohjainen DRAM-piiri kutistaa lukuprosessin tehonkulutuksen viidennekseen aiempaan LPDDR4-polveen verrattuna. SK Hynix lupaa demota DDR5-pohjaista SDRAM-piiriä, joka siirtää 6,4 gigabittiä dataa jokaista johdinta pitkin.
Nopeampia muisteja tullaan tarvitsemaan 5G-laitteissa sekä autojen uusissa ADAS-järjestelmissä.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
