Amerikkalainen Menlo Micro on GE:stä irronnut startup, joka kaupallistaa GE Labsissa kehitettyä digitaalisten MEMS-kytkinten tekniikkaa. Tuloksena on tuhat kertaa nykyisiä kytkimiä nopeampi, paljon pidempään kestävä kytkin, joka skaalautuu satojen wattien käsittelyyn.
GE on investoinut tekniikkaan vuosien varrella noin 40 miljoonaa dollaria. Yhtiössä kuitenkin katsottiin, että tekniikkaa voisi hyödyntää paljon laajemminkin kuin potilaspedeissä. Ja toiseksi GE ei itse halunnut ryhtyä kytkinvalmistajaksi.
Potilaspedeissä MEMS-kytkinten etu on ollut se, ettei rakenne kehitä lämpöä. Toisaalta samat ominaisuudet nousevat arvoonsa myös RF-kytkimissä. Tuotekehityksestä vastaavan Chris Giovanniellon mukaan kytkimille löytyy käyttöä ainakin 5G-laitteissa, mittaus- ja testauslaitteissa sekä ohjelmistoradioissa. – Ja silti ennustamme, että tehokytkimissä tekniikkamme tulee olemaan vielä isommassa roolissa kuin RF-kytkennässä, Giovanniello lupaa.
GE Labsissa kehitetyn tekniikan vieminen massamarkkinoilla on edellyttänyt yhteistyötä Corning Incorporatedin ja Silex Microsysemsin kanssa. Edelliseltä tulee TGV-pakkaustekniikka (Through Glass Via -läpiviennit) ja jälkimmäinen toimii valmistuskumppanina.
Silex on yksi maailman suurimpia MEMS-piirien sopimusvalmistajia ja nyt Menlon kytkimet saadaan sen 8-tuumaisten kiekkojen (kuvassa) linjoille. Tästä saadaan tarvittava volyymi ja kustannustehokkuus. Volyymeissä kytkimet ehtivät asiakkaille ensi vuonna.
- Yllämme sadantuhannen kappaleen kuukausivauhtiin, Giovanniello uskoo.
MEMS-rakenteesta tulee automaattisesti monia etuja, kuten 3 miljardin kytkennän elinikä, 1-5 mikrosekunin kytkentäaika a laaja 40 gigahertsiin asti yltävä taajuusalue, jolla voidaan kattaa kaikki 5G-taajudet millimetrialueen alapuolella. Puutteiksi voidaan lukea kuumakytkennän (hot-switching) puuttuminen. Myös kytkennän eristäminen vaatii edelleen kehitystyötä.
Lisätietoja löytyy Menlo Micron sivuilta.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
