Saksalaisen NaMLAbin (Nanoelectronic Materials Laboratoryn GmbH), Dresdenin teknillisen yliopiston ja Romanian materiaalifysiikan kansallisen tutkimusinstituutin tutkijat ovat yhteisvoimin todenneet perustavanlaatuisen ferrosähköisten materiaalien teorian, joka voisi johtaa energiatehokkaampaan elektroniikkaan. He ovat osoittaneet, että ferrosähköisen hafnium-zirkoniumoksidin ohuet kerrokset voivat ilmentää negatiivista kapasitanssia.
Tämä tarkoittaa sitä, että tällaiset materiaalit voivat vahvistaa jännitettä, jota voitaisiin käyttää tulevaisuuden elektroniikan tehohäviöiden vähentämiseen yli tavanomaisten rajojen. Vaikka tämä erikoinen käyttäytyminen on ennustettu jo yli 70 vuotta sitten, useimmat tutkijat ajattelivat, että tätä ei ollut mahdollista osoittaa kokeellisesti.
Ferrosähköisiä materiaaleja on tutkittu lähes vuosisadan ajan, mutta jotkut perusasiat ovat jääneet ratkaisematta. Yksi niistä liittyy 1940-luvun ferrosähköisten ”Landau-teoriaan”, jota käytetään edelleen kuvaamaan ferrosähköisten materiaalien käyttäytymistä. Teoria ennustaa myös negatiivisen kapasitanssin, josta on kiistelty erityisesti viime vuosina.
Teoria viittaa siihen, että sähkövarauksen lisääntyminen voi johtaa jännitteen pienenemiseen, joka on ilmiönä täsmälleen päinvastainen tavanomaisen kapasitanssin kanssa.
NaMLabin tutkijat ovat nyt ensimmäisinä osoittaneet tällaisen negatiivisen kapasitanssin. Havainto saatiin aikaan käyttämällä erikoisvalmisteisia kondensaattoreita, jotka koostuivat ultraohuiden kerrosten pinosta. Pinoon kohdistettiin erittäin lyhyitä jännitepulsseja.
- Kiehtova asia on, että näitä materiaaleja käytetään jo jokaisessa älypuhelimessa," sanoi Michael Hoffmann, Ph.D. opiskelija NaMLabissa ja tutkimuksen johtava tekijä.
- Seuraava tärkeä askel on käyttää näitä havaintoja uusien laitteiden kehittämiseen, jotka teoriassa voisivat olla paljon energiatehokkaampia kuin mikä on mahdollista tänään.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 7.2.2019
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
