Japanilaisessa Tohokun yliopistossa on professori Tetsuo Endohin johdolla kehitetty 128 megabitin STT-MRAM-muisti, jota kehutaan maailman nopeimmaksi. Muistin kirjoitusaika esimerkiksi sulautetuissa IoT-sovelluksissa on vain 14 nanosekuntia.
Kyse on maailman nopeimmasta sulautetusta, yli 100 megabitin muistipiiristä. Samalla saavutus avaa tietä kohti suurikapasiteettisten STT-MRAM-piirien massavalmistusta.
STT-MRAM eli spin torque transfer -muisti nojaa magneettisiin kenttiin, joiden suuntaa muuttamalla (pystyyn tai vaakaan) ykkönen saadaan muutettua nollaksi. Nopeuden lisäksi sen etuna on pieni tehonkulutus, sillä data säilyy muistissa silloinkin, kun muistissa ei ole virtaa.
Tällä hetkellä tuotannossa olevien STT-MRAM-piirien kapasiteetti on 8-40 megabitin välillä. Käytännön sovelluksia varten sen tiheyttä pitää kasvattaa, mihin japanilaistutkijat ovat nyt yltäneet. Tämä perustui ennen kaikkea solun koon pienentämiseen.