Hollantilaisen Groningenin yliopiston tutkijat ovat rakentaneet kaksiulotteisen spin-transistorin, jossa spin-virrat syntyvät sähkövirralla grafeenin läpi. Grafeenin päälle asetettiin volframidisulfidi- eli WS2-kerros, jotta saadaan indusoitua varaus/spin -muunnos grafeenissa.
Spintroniikka on houkutteleva vaihtoehto luoda pienitehoisia elektronisia laitteita. Spin on elektronin kvanttimekaaninen ominaisuus, magneettinen momentti, jota voidaan käyttää informaation siirtämiseen tai tallentamiseen.
Grafeeni on taasen erinomainen spinien kuljettaja. Spinien luomiseksi tai manipuloimiseksi tarvitaan kuitenkin sen elektronien vuorovaikutus atomiytimien kanssa: spin-kiertorata -kytkentä. Tämä vuorovaikutus on kuitenkin hiilessä erittäin heikko.
Jo aiemmin on osoitettu, että spin-orbit -kytkentä grafeenissa kasvaa, kun päälle asetetaan yksi kerros raskaampia atomeja sisältävää materiaalia (kuten TMD). Tällöin materiaaliin syntyy Van der Waalsin heterorakenne.
Groningenin tutkijat loivat tällaisen rakenteen. Kultaelektrodien avulla he pystyivät siirtämään puhtaan varausvirran grafeenin läpi ja tuottamaan spinvirran, jota kutsutaan Rashba-Edelsteinin vaikutukseksi. Lisäksi tutkimusjärjestely osoitti myös Spin-Hall -ilmiön tuottamaa spinvirtaa, jossa spinit ovat suuntautuneet eri tavalla.
Spinvirta syntyy vuorovaikutuksessa volframidisulfidin raskaiden atomien kanssa. Lisäksi tutkijat osoittivat, että spinien kertymisen syntymisen tehokkuutta voidaan säätää sähkökentän avulla. Tämä tarkoittaa, että he ovat rakentaneet spintransistorin, jossa spinvirta voidaan kytkeä päälle ja pois. Lisäksi tämä kaksiulotteinen täysin sähköinen spintransistori toimii huonelämpötilassa.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 20.9.2019
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.