Ranskalainen Yole Developpement -tutkimuslaitos on arvioinut älypuhelimien RF-etupäiden markkinoita. Analyysi kertoo markkinaluvut, mutta myös mielenkiintoista tietoa siitä, miten eri valmistajien toteutukset RF-puolella eroavat toisistaan.
Yolen mukaan kännyköiden RF-piirien markkinat kasvavat vuosien 2018-2025 välillä keskimäärin 8 prosentin vuosivauhtia. Tämä tarkoittaa, että vuonna 2025 piirejä myydään 25,8 miljardilla dollarilla. Kyse on siis isosta bisneksestä.
Tulevina vuosina 5G-radiopiirien osuus markkinoista kasvaa merkittävästi. Mutta koska esimerkiksi Applella ei vielä ole 5G-radiota, on Yole keskittynyt analyysissään LTE-puhelimiin. Analyysi paljastaa mielenkiintoisia eroja.
Valmistaja voi toteuttaa RF-osan joko moduulien tai erilliskomponenttien pohjalta. Yolen mukaan Samsung ja Apple, sekä pienemmistä valmistajista Sony. LG, Google ja ZTE, pohjaavat suunnittelunsa kokonaisiin RF-moduuleihin. Näitä toimittavat markkinoille esimerkiksi Broadcom, Qualcomm, Skyworks, Corvo ja Murata.
Sen sijaan Huawei, Xiaomi, Oppo ja Vivo suosivat erilliskomponenteista koostuvia ratkaisuja. Tämä antaa niille mahdollisuuden pitää RF-etupään kustannukset alhaisina ja myydä laitteita aggressiivisempaan hintaan.
Tämän jälkeen mielenkiintoinen kysymys kuuluu, kumpi lähestymistapa tuottaa tehokkaammat latausnopeudet. Yole on vertaillut Huawein P20 Pro- ja Samsungin S10-malleja. Huawein puhelimen RF-piirilevy (kuvassa) koostuu 45 erilliskomponentista ja neljästä integroidusta moduulista. Se on komponenttikuluiltaan noin puolet halvempi kuin Samsungin Galaxy S10:n kahdeksasta moduulista ja 17 erillispiiristä koostuva ratkaisu.
Silti molemmat RF-osat tukevat yli 30 taajuusaluetta, kantoaaltojen yhdistämistä ja esimerkiksi 4 x 4 kanavan MIMO-yhteyksiä. Datalatausnopeudet ovat käytännössä identtiset, vaikka radiot ovat suunnittelultaan aivan erilaiset.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
