Ranskalaisen GreenWave Technologiesin uusin piiri vastaa moneen tämän hetken kuumaan trendiin. Yhtiön uusi prosessori tuo tekoälylaskennan verkon reunalle avoimilla RISC-V-ytimillä ja sen tehonkulutus on FD-SOI-prosessin ansiosta merkittävästi kilpailijoita pienempi.
FD-SOI-rakenne eroaa ns. bulkkitransistorista siten, että kanavan päälle istutetaan ohut oksidieristekerros. Tästä seuraa monia etuja. Kanavan leveys esimerkiksi lyhenee, jolloin elektronien täytyy kulkea lähteestä nieluun lyhyempi matka.
Toinen etu tulee valmistusprosessin yksinkertaistumisesta. Kanavaan ei tarvitse lisätä mitään seosmateriaaleja, jotta sen kyky johtaa sähköä paranisi. Kun kanavan päällä on SOI-kalvo, rakenne myös vuotaa vähemmän jännitettä. Tämä parantaa toiminnan hyötysuhdetta ja pienentää tehonkulutusta.
Tätä GreenWave hyödyntää uudella GAP9-prosessorillaan. Se pystyy tekoälylaskennassa 50 GOPS:n suorituskykyyn vain 50 milliwatin tehonkulutuksella. Yhtiön mukaan nämä ominaisuudet käytännössä tuovat tekoälyprosessoinnin IoT-verkon solmuihin.
Kaikkiaan GAP9-prosessorilla on kymmenen RISC-V-ydintä. Näistä yksi muodostaa järjestelmän ohjausyksikön, yhdeksän muuta laskentaklusterin. Se pystyy laskemaan tehokkaasti neuroverkkoja.
Esimerkiksi 160 x 160 pikselin kokoisen kuvan skaalaus onnistuu 12 millisekunnissa, jolloin yhden ruudun käsittelyyn kuluu tehoa 806 mikrowattia sekunnissa.
GreenWave esitteli piiriään RISC-V Summit -tapahtumassa San Josessa viime viikolla.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
