Uudet laajan kaistaeron materiaalit kasvattavat suosiotaan tehoelektroniikassa. TrendForce ennustaa, että galliumnitridi-pohjaisten komponenttien markkinat kasvavat tänä vuonna 90,6 prosenttia. Myös piikarbidikomponenttien markkinat kasvavat 32 prosenttia viime vuodesta.
Kasvu perustuu moneen tekijään. TrendForcen mukaan rokotukset purevat pandemiaan ja tukiasemien valmistus lähtee jälleen vauhtiin. Monet älypuhelinvalmistajat – ainakin Xiaomi, Oppo ja Vivo – ovat alkaneet valmistaa GaN-pohjaisia latureita.
Tärkeä liike oli myös Teslan päätös siirtyä käyttämään SiC-pohjaisia mosfetteja Model 3 -autoissaan. Tämä käytännössä aloittaa laajamittaisen SiC-käytön autoteollisuudessa.
GaN-piirejä valmistetaan edelleen pääasiassa 6-tuumaisilla kiekoilla, vaikka esimerkiksi TSMC on yrittänyt tuotantoa 8-tuumaisilla. Valmistuskapasiteetin kasvattaminen edellyttää kuitenkin kysynnän kasvua. Nyt pandemian hidastuessa 5G-tukiasemien RF-etupääkomponenttien kysyntä lähtee kasvuun.
TrendForce ennustaa, että GaN-pohjaisia RF-piirejä myydään tänä vuonna 680 miljoonalla dollarilla. GaN-tehokomponenttien myynti kasvaa 61 miljoonaan dollariin. Kyse on erityisesti tehokomponenteissa vielä pienistä volyymeistä, mutta kasvupotentiaalia pidetään isona.
GaN- ja SiC-puolijohteiden kaistaerotus (band gap) on yli 3 kertaa laajempi kuin perinteisissä puolijohteissa, joten ne kestävät 10 kertaa suurempaa jännitettä. Käytännössä tuloksena on hyötysuhteeltaan parempia ja pienikokoisempia tehokomponentteja. Tämä näkyy esimerkiksi pienempinä pikalatureina kännyköissä.