Galliumnitridi-pohjaisten tehokomponenttien markkinat kasvavat 1,1 miljardiin dollariin vuonna 2026. Viiden vuoden kuluttua 61 prosenttia GaN-piireistä menee kulutuselektroniikan laitteisiin, ennustaa Yole Developpement tuoreessa tutkimuksessaan.
Tutkimuslaitoksen mukaan Oppon Reno Ace -lippulaivamallin lanseeraus loppuvuodesta 2019 oli tärkeä virstanpylväs GaN-tekniikalle. Laitteen mukana tuotiin pienikokoinen 65 watin tehoon yltävä laturi. Ilman GaN-vaihetta se ei olisi ollut mahdollista.
GaN-teholähteet ovat tulossa myös ajoneuvoihin. Niille Yole ennustaa 155 miljoonan dollarin markkinoita vuonna 2026. Vuosikasvu on 185 prosentin luokkaa.
Näille kasvaville markkinoille tähyää myös STMicroelectronics uusilla STi2GaN-piireillään. Kyse on järjestelmäpiireistä, jossa samaan koteloon on teholähteen lisäksi integroitu sovelluskohtainen prosessori. Uutta on kotelointi, sillä ratkaisussa ei käytetä lankabondauksia.
ST:n mukaan uudet piirit on tarkoitettu latureiden, autojen LiDAReiden, DC-DC-muuntimien ja luokan D tehovahvistimien ohjaamiseen. Piirit tulevat tarjolle 100 ja 650 V luokissa.
Moni fyysisen kunnon ja terveyden seurantaan tarkoitettu laite sisältää erilaisia elintoimintojen mittauksia, mutta niiden tarkkuus ja luotettavuus eivät täytä terveydenhoidon ammattilaisten vaatimuksia. Pitkälle integroidun AFE-piirin avulla voidaan kuitenkin rakentaa jopa iholle kiinnitettävän tarralapun muotoon mittausjärjestelmä, joka hoitaa kaikki tärkeät elintoimintojen mittaukset kliinisellä tasolla.
