Galliumnitridi-pohjaisten tehokomponenttien markkinat kasvavat 1,1 miljardiin dollariin vuonna 2026. Viiden vuoden kuluttua 61 prosenttia GaN-piireistä menee kulutuselektroniikan laitteisiin, ennustaa Yole Developpement tuoreessa tutkimuksessaan.
Tutkimuslaitoksen mukaan Oppon Reno Ace -lippulaivamallin lanseeraus loppuvuodesta 2019 oli tärkeä virstanpylväs GaN-tekniikalle. Laitteen mukana tuotiin pienikokoinen 65 watin tehoon yltävä laturi. Ilman GaN-vaihetta se ei olisi ollut mahdollista.
GaN-teholähteet ovat tulossa myös ajoneuvoihin. Niille Yole ennustaa 155 miljoonan dollarin markkinoita vuonna 2026. Vuosikasvu on 185 prosentin luokkaa.
Näille kasvaville markkinoille tähyää myös STMicroelectronics uusilla STi2GaN-piireillään. Kyse on järjestelmäpiireistä, jossa samaan koteloon on teholähteen lisäksi integroitu sovelluskohtainen prosessori. Uutta on kotelointi, sillä ratkaisussa ei käytetä lankabondauksia.
ST:n mukaan uudet piirit on tarkoitettu latureiden, autojen LiDAReiden, DC-DC-muuntimien ja luokan D tehovahvistimien ohjaamiseen. Piirit tulevat tarjolle 100 ja 650 V luokissa.







– Paikannuksen tarkkuudessa, luotettavuudessa ja virrankulutuksessa otetaan nyt merkittäviä edistysaskelia, sanoo u-bloxin toimitusjohtaja Matthias Poppel. Münchenin Electronica-messuilla yhtiö esittelee GNSS-moduulia, joka lupaa alle kahden nanosekunnin ajoitustarkkuuden kriittisen infrastruktuurin tarpeisiin.






Teollisuuden sulautetut järjestelmät suunnitellaan usein 10–15 vuoden käyttöikää varten. Muistitekniikka ja komponenttien saatavuus muuttuvat kuitenkin huomattavasti nopeammin. Kingstonin Suomen liiketoiminnan kehityspäällikkö Mikko Maanoja korostaa, että muistivalinnat ja komponenttien elinkaaren hallinta on otettava huomioon jo laitteen suunnitteluvaiheessa.
Saksalainen Rohde & Schwarz on esitellyt Münchenin Electronica-messuilla uuden FNH-käsianalysaattorin, joka yhdistää spektrianalyysin, reaaliaikaisen spektrianalyysin, vektoriverkkoanalyysin ja tehomittaukset samaan laitteeseen. Uutuuden merkittävin tekninen ominaisuus on jopa 125 megahertsin reaaliaikainen analyysikaista, joka on valmistajan mukaan luokkansa levein.



