Galliumnitridi-pohjaisten tehokomponenttien markkinat kasvavat 1,1 miljardiin dollariin vuonna 2026. Viiden vuoden kuluttua 61 prosenttia GaN-piireistä menee kulutuselektroniikan laitteisiin, ennustaa Yole Developpement tuoreessa tutkimuksessaan.
Tutkimuslaitoksen mukaan Oppon Reno Ace -lippulaivamallin lanseeraus loppuvuodesta 2019 oli tärkeä virstanpylväs GaN-tekniikalle. Laitteen mukana tuotiin pienikokoinen 65 watin tehoon yltävä laturi. Ilman GaN-vaihetta se ei olisi ollut mahdollista.
GaN-teholähteet ovat tulossa myös ajoneuvoihin. Niille Yole ennustaa 155 miljoonan dollarin markkinoita vuonna 2026. Vuosikasvu on 185 prosentin luokkaa.
Näille kasvaville markkinoille tähyää myös STMicroelectronics uusilla STi2GaN-piireillään. Kyse on järjestelmäpiireistä, jossa samaan koteloon on teholähteen lisäksi integroitu sovelluskohtainen prosessori. Uutta on kotelointi, sillä ratkaisussa ei käytetä lankabondauksia.
ST:n mukaan uudet piirit on tarkoitettu latureiden, autojen LiDAReiden, DC-DC-muuntimien ja luokan D tehovahvistimien ohjaamiseen. Piirit tulevat tarjolle 100 ja 650 V luokissa.
Mitä erikoista sähköajoneuvojen latausportissa on verrattuna perinteisten ajoneuvojen polttoainesuuttimeen? Ensi silmäyksellä ei paljoa, ja siksi latauspistoke sijoitettiin yksinkertaisesti tankin korkin taakse ensimmäisissä sähköautomalleissa. Tämä ei kuitenkaan ole ihanteellinen paikka latausportille, etenkään turvallisuusnäkökohtien osalta.
STMicroelectronics on viime aikoina lisännyt tekoälyä liikeantureihinsa, jotta laskenta rasittaisi järjestelmäprosessoria vähemmän. Nyt yhtiön uusin anturi toimii aina 125 asteen lämpötilaan asti eli se kestää autojen ankaria olosuhteita.
