Galliumnitridi-pohjaisten tehokomponenttien markkinat kasvavat 1,1 miljardiin dollariin vuonna 2026. Viiden vuoden kuluttua 61 prosenttia GaN-piireistä menee kulutuselektroniikan laitteisiin, ennustaa Yole Developpement tuoreessa tutkimuksessaan.
Tutkimuslaitoksen mukaan Oppon Reno Ace -lippulaivamallin lanseeraus loppuvuodesta 2019 oli tärkeä virstanpylväs GaN-tekniikalle. Laitteen mukana tuotiin pienikokoinen 65 watin tehoon yltävä laturi. Ilman GaN-vaihetta se ei olisi ollut mahdollista.
GaN-teholähteet ovat tulossa myös ajoneuvoihin. Niille Yole ennustaa 155 miljoonan dollarin markkinoita vuonna 2026. Vuosikasvu on 185 prosentin luokkaa.
Näille kasvaville markkinoille tähyää myös STMicroelectronics uusilla STi2GaN-piireillään. Kyse on järjestelmäpiireistä, jossa samaan koteloon on teholähteen lisäksi integroitu sovelluskohtainen prosessori. Uutta on kotelointi, sillä ratkaisussa ei käytetä lankabondauksia.
ST:n mukaan uudet piirit on tarkoitettu latureiden, autojen LiDAReiden, DC-DC-muuntimien ja luokan D tehovahvistimien ohjaamiseen. Piirit tulevat tarjolle 100 ja 650 V luokissa.
Tria Technologies on julkaissut uuden OSM-LF-IMX95-moduulin, joka tuo tekoälylaskennan suoraan piirilevylle juotettavaan muotoon. Moduuli perustuu NXP i.MX 95 -sovellusprosessoriin ja noudattaa Open Standard Module eli OSM 1.2 -määrittelyä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.
