Tehoelektroniikassa galliumnitridillä on monia etuja perinteiseen piihin verrattuna: korkea hyötysuhde ja pienempi energiankulutus, suurempi kytkentänopeus, pienempi koko ja paino, korkeampi lämmönkestävyys, ja vähäisempi hävikki ja lämpöhäviö. Oli siis vain ajan kysymys ennen kuin alalla tapellaan patentoiduista teknologioista.
Maaliskuussa Infineon haastoi Innosciencen oikeuteen patentinloukkauksesta. Infineon hakee pysyvää käyttökieltoa Infineonin omistaman galliumnitridi-teknologian yhdysvaltalaisen patentin loukkaamisesta. Nyt Innoscience on vastannut saksalaisjätin väitteisiin.
Infineon sai Münchenin käräjäoikeudelta Saksan alustavan kiellon Innoscience Europe B.V.:tä vastaan, mikä esti Innosciencea esittelemästä jpoitakin GaN-on-Si-tehoratkaisujaan PCIM Europe 2024 -messuilla viime viikolla Nürnbergissä. Innoscience korostaa, että alustava kielto saatiin "ex parte" eli ilman Innosciencen edustamista tai vastausta.
Innosciencen mukaan kiellon antanut tuomioistuin ei antanut yhtiölle mahdollisuutta kommentoida tai esittää puolustustaan ennen alustavan kiellon antamista. Infineon jopa toimitti Innosciencelle kirjeen, jossa se ehdotti, että se hakeisi alustavaa kieltomääräystä Nürnbergin tuomioistuimelta, mutta haki sitten kieltomääräystä Münchenin tuomioistuimelta. Innoscience oli vilpittömässä mielessä ottanut yhteyttä Nürnbergin tuomioistuimeen, mutta koska Infineon jätti ennakkokieltohakemuksensa toiselle tuomioistuimelle, Innosciencelle ei annettu varoitusta tai mahdollisuutta puolustautua.
Selvyyden vuoksi Innoscience toteaa, että alustavassa määräyksessä esitetty yksittäinen patentti ei "kata GaN-tehopuolijohteiden ydinnäkökohtia". Yksittäisen patentin vaatimukset kohdistuvat kotelointiin, eivät GaN-transistorien ydinteknologioihin.
Innoscience uskoo, että Infineonin toimet olivat perusteettomia, ja aikoo esittää täyden puolustuksen Münchenin tuomioistuimelle saadakseen Infineonin vastuuseen.