6G-verkot ovat vielä vuosien päässä, mutta laitteisiin radio-osia kehittävät työskentelevät jo tulevaisuuden ratkaisujen parissa. Englantilainen Nanusens on kehittänyt tekniikan, jolla tulevien 6G-älypuhelimien korkeampien taajuuksien antennit saadaan viritettyä tarkkaan oikeille taajuuksille.
Koko konsepti perustuu Nanusensin kehittämään tekniikkaan, jossa pystytään integroimaan MEMS-komponentti suoraan CMOS-pohjaiselle piisirulle. Tämä MEMS-in-CMOS-tekniikka mahdollistaa nanomittakaavan kondensaattoreiden kehittämisen RF-etuasteisiin, mikä on erityisen hyödyllistä tulevissa 6G-sovelluksissa.
Tekniikalla on monia etuja puolellaan. Ensinnäkin sillä voidaan luoda erittäin integroitu ja kompakti ratkaisu. Toteutus lisää Q-kerrointa, joka on välttämätön tehokkaille ja pienihäviöisille resonanssijärjestelmille. Tämä on ratkaisevan tärkeää tehohäviöiden minimoimiseksi ja kantaman lisäämiseksi.
Kondensaattorien lineaarisuus on suuri, mikä on välttämätöntä signaalin vääristymien vähentämiseksi. Samalla niiden suorituskyky ylittää nykyisten 5G-laitteiden RF-osien vaatimukset. Tekniikka on nykyisiä energiatehokkaampi, mikä saattaa pidentää laitteen puheaikaa jopa 30 %.
Kun 6G vaatii pienempiä lisäantenneja korkeampien taajuuskaistojen vuoksi, jokaisen antennin on oltava viritettävä sopeutuakseen tehokkaasti eri kaistoille, mikä saavutetaan näiden integroitujen virittävien kondensaattoreiden avulla.
Nämä DTC-piirit eli digitaalisesti viritettävät kondensaattorit ovat nanomittakaavaisia ja erittäin kompakteja, mikä parantaa suorituskykyä korkean Q-kertoimensa ja minimaalisen särönsä ansiosta. Nanomittakaavaisilla kondensaattoreilla on korkea nykyinen kapasitanssisuhde ja minimaalinen off-state -kapasitanssi, ja tulevat iteraatiot pyrkivät entistä parempaan suorituskykyyn.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
