Dresdenin ja Baselin yliopistojen tutkijat ovat onnistuneet luomaan uudenlaisen mistipiirin, joka toimisi huomattavasti vähemmällä energialla kuin nykyiset. Kyse on antiferromagneettisesta magnetosähköisestä muistista. Se perustuu ohueen kerrokseen kromioksidia, joka on asetettu kahden nanometrin ohuen elektrodin väliin.
Kun elektrodeihin liitetään jännite, kromioksidi vaihtaa magneettista tilaansa ja bitti tulee kirjoitetuksi. Vain muutaman voltti riittää ja tehonkäyttö on viisikymmentä kertaa pienempi kuin muissa ferromagneettisissa muisteissa.
Erityisenä haasteena tällaisissa muisteissa on ollut kyky lukea kirjoitettu bitti uudelleen. Nyt fyysikot kiinnittivät nanometrin ohuen platinakerroksen kromioksidin päälle. Platina mahdollistaa luennan poikkeavan Hall-ilmiön avulla.
Varsinainen signaali on hyvin pieni ja piiloutuu häiriösignaaleihin, mutta tutkijat onnistuivat tukahduttamaan häiriötä riittävästi. Materiaali toimii huoneenlämpötilassa, mutta vain kapealla alueella. Toistaiseksi vain yksi toimiva muistielementti on toteutettu ja seuraava askel, onkin rakentaa joukko useita muistisoluja.
AF-MERAM-muistit haastavat MRAM-tekniikat, joita on kehitetty vaihtohtona nykyisille tehonälkäisille muistipiireille. MRAMit tallentavat dataa magneettisesti eivätkä siten vaadi jatkuvaa virkistystä. Niissä käytetään kuitenkin suhteellisen suuria sähkövirtoja datan kirjoittamiseksi, mikä heikentää luotettavuutta.
Veijo Hänninen
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
