Kalifornialainen Carbonics on kehittänyt tekniikan, joka saattaa täysin mullistaa erittäin nopeiden RF-piirien valmistuksen. Yhtiö on kehittänyt ensimmäisen luotettavan tekniikan, jolla piikiekon pintaan saadaan istutettua hiilinanoputkia.
Vastaavaa on yritetty aiemmin useasti, koska hiilinanoputkissa elektronien liike on yli 70 kertaa piitä nopeampi. Myös galliumarsenidiin verrattuna elektroni kulkee hiilinanoputkessa selvsäti yli 10 kertaa nopeammin.
Carbonicsin prosessissa piikiekko upotetaan erikoisliuokseen – johon on lisätty nanoputkia - huoneenlämpötilassa, jolloin sen pintaan muodostuu hiilinanoputkista koostuva kalvo. Kun kiekko poistetaan liuoksesta, nanoputket asettuvat toistensa viereen.
Prosessi voidaan toistaa niin usein, kun on tarpeen, jotta saavutetaan halutun RF-piirin vaatimat nanoputket. Kiekon kuivuessa voidaan normaaleilla litografiatekniikoilla tuottaa transistorikanavat ja sen jälkeen poistaa etsaamalla ylimääriset nanoputket.
Tekniikan ansiosta tavalliselle CMOS-kiekolle voidaan toteuttaa järjestelmäpiirejä, joissa RF-osa koostuu ultranopeista nanoputkista. Jo nyt näillä Zebra-transistoreilla voidaan toteuttaa RF-piirejä, joissa kytkentänopeus on jopa 100 gigahertsiä. Carbonics tavoittelee terahertsin kytkentänopeutta seuraavan polven prosessissaan.
Carbonicsin prosessi mahdollistaa erittäin nopeat integroidut RF-piirit CMOS-prosessissa. Niiden tehonkulutus on erittäin alhainen, joten tekniikka parantaa osaltaan esimerkiksi älypuhelimien akkukestoa. Lisäksi prosessi on edullinen, joten tulevat 5G-laitteiden järjestelmäpiirit saadaan valmistettua erikoismateriaaleja halvemmalla.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
