Puolijohdealan tutkijat kehittävät jatkuvasti uusia ratkaisuja pitääkseen Mooren lain hengessä. Nyt tosin liikutaan jo erittäin pienissä geometrioissa. Belgialainen mikroelektroniikan tutkimuskeskus on yhdessä singaporelaisen Unisantisin kanssa kehittänyt SRAM-solun, joka käy alle 5 nanometrin tuotantoon.
SRAM-tekniikka perustuu Unisantisin SGT-rakenteeseen (Surrounding Gate Transistor), jossa SRAM-solun vaatimat kuusi transistoria ovat pystysuunnassa. Samantyyppisiä ratkaisuja ovat tutkineet suuret muistivalmistajat Samsungin johdolla.
Valmistetussa protossa SRAM-solun koko oli 0,0205 neliömikronia. Pilaritransistorien välinen etäisyys oli 50 nanometriä. Solu on 24 prosenttia pienempi kuin tähän asti kehitetty pienin SRAM-solu, joka on Samsungin käsialaa.
Pystysuorissa transistoreissa haaste on pilarien vakaus. Tähän IMEC pääsi EUV-litografialla. Tuloksena oli prosessi, joka on tutkijoiden mukaan kustannuksiltaan kilpailukykyinen FinFET-pohjaisten SRAM-piirien valmistuksen kanssa.
Pystysuorilla transistoreilla on omat haasteensa. Niiden pitäisi olla selvästi suorituskykyisempiä, jotta voisivat kilpailla FinFET-pohjaisen logiikan kanssa.