Mobiiliverkoissa siirrytään parin vuoden kuluttua 5G-tekniikkaan, jossa laitteiden pitää toimia jopa 100 gigahertsin taajuudella, siirtää dataa jopa yli 20 gigabitin nopeudella ja olla energiatehokkaampia kuin aiemmin. Tutkijoiden mukaan tämä ei tule nykyisillä transistoritekniikoilla onnistumaan.
Tämän takia uutta suuntaan haetaan ns. HEMT-transistoreista (high-electron-mobility transistors), jotka perustuvat galliumnitridiin nykyisen piin sijaan. HEMT-transistorissa elektronit voivat liikkua vapaasti mikronin paksuisessa kalvossa kahden puolijohteen välissä.
Sveitsiläisessä PSI-tutkimuskeskuksessa (Paul Scherrer Institute) on nyt otettu merkittävä harppaus HEMT-transistorien tutkimuksessa. Röntgenin avulla tutkijat ovat ensimmäistä kertaa havainneet, miten elektronit kulkevat tässä lupaavassa transistorissa.
Kokeet tehtiin yhdessä PSI:n venäläisten ja romanialaisten tutkimuskumppanien kanssa. Niiden mukaan elektronit liikkuvat HEMT-transistorissa tehokkaammin tietyissä suunnissa. Tämä löydös auttaa kehittämään nopeampia ja tehokkaampia transistoreja, joihin tulevat mikropiirit perustuvat.
Tutkimustulokset on julkaistu Nature Communications -tiedelehdessä. Tutkimustyötä johti PSI:n tutkija Vladimir Strocov (kuvassa).
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
